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龙图腾网获悉澳芯集成电路技术(广东)有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种掩模版优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114217504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210033172.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种掩模版优化方法是由吴宗晔;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩模版优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩模版优化方法，其可避免掩模版图型产生桥连现场，可确保光刻效果、提升产品良品率，掩模版优化方法基于OPC修正模型实现，该方法包括：提供一目标版图；采用OPC修正模型对目标版图上的初始图型进行优化，获得优化掩模版；OPC修正模型基于第一修正模型、第二修正模型和初始图型建立，第一修正图型为用于对初始图型进行修正的初始修正图型，第二修正图型的结构根据相邻初始图型之间的最小间距设定，且第二修正图型用于对需要更换的第一修正图型进行再次修正。

本发明授权一种掩模版优化方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模版优化方法，该方法基于OPC修正模型实现，其特征在于，所述OPC修正模型包括第一OPC修正模型、第二OPC修正模型，对所述掩模版进行优化的步骤包括：S1、提供一目标版图，所述目标版图包括初始图型； S2、建立所述第一OPC修正模型，所述第一OPC修正模型基于第一修正图型建立，所述第一修正图型的结构与所述初始图型的结构一致，且所述第一修正图型的面积大于初始图形的面积，所述第一修正图型为矩形和或正方形； S3、采用所述第一OPC修正模型对所述初始图型进行初始修正，获得包含初始修正图型的第一优化掩模版； S4、建立所述第二OPC修正模型，所述第二OPC修正模型基于第二修正图型建立，所述第二修正图型的结构根据相邻初始图型之间的最小间距设定；所述第二修正图型为多边形，所述多边形包括第一多边形，所述第一多边形为四个角分别设置有缺口的正方形，所述多边形包括第二多边形、第三多边形，所述第二多边形、第三多边形的相对顶角设置有缺口，且所述第二多边形与所述第三多边形镜像设置； S5、测量相邻两个所述初始图型之间的间距，根据间距判断是否采用所述第二OPC修正模型对相应区域的所述初始修正图型进行修正，若是，则通过所述第二OPC修正模型对所述第一优化掩模版进行修正，获得第二优化掩模版； 步骤S5包括：S51、将测量的所述间距与预先设定的间距阈值进行对比，判断所述间距是否大于所述间距阈值，若否，不再进行修正，反之进入步骤S52； S52、获取所述第一优化掩模版中间距小于等于所述阈值的区域，将该区域作为再次修正区域，采用所述第二OPC修正模型中的所述第二修正图型对所述再次修正区域的所述第一修正图型进行修正，获得所述第二优化掩模版。

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