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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210042707.3，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构是由彭春雨;徐鸿运;赵强;卢文娟;高珊;郝礼才;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构，包括RRAM1的底部电极与NMOS晶体管M1的漏极、NMOS晶体管M2的漏极电连接；M1的栅极与WLA电连接；M2的栅极与WLC电连接；NMOS晶体管M2的源极和NMOS晶体管M3的源极均与RRAM2的顶部电极电连接；NMOS晶体管M3的栅极与WLB电连接；RRAM3的底部电极与NMOS晶体管M4的漏极电连接；M4的栅极与WLS电连接；NMOS晶体管M1的源极、RRAM2的底部电极、NMOS晶体管M4的源极均与SL和电阻R1电连接，而电阻R1的另一端接地。本发明采用RRAM实现了在内存内计算中基本的逻辑运算，提高了电路的逻辑运算效率。

本发明授权一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构在权利要求书中公布了：1.一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构，其特征在于，包括4个NMOS晶体管、3个阻变式存储器和1个电阻R1；这4个NMOS晶体管分别定义为M1、M2、M3、M4；这3个阻变式存储器分别定义为RRAM1、RRAM2、RRAM3； 阻变式存储器RRAM1的底部电极与NMOS晶体管M1的漏极、NMOS晶体管M2的漏极电连接；NMOS晶体管M1的栅极与信号线WLA电连接；NMOS晶体管M2的栅极与信号线WLC电连接； NMOS晶体管M2的源极和NMOS晶体管M3的源极均与阻变式存储器RRAM2的顶部电极电连接；NMOS晶体管M3的栅极与信号线WLB电连接； 阻变式存储器RRAM3的底部电极与NMOS晶体管M4的漏极电连接；NMOS晶体管M4的栅极与信号线WLS电连接； NMOS晶体管M1的源极、阻变式存储器RRAM2的底部电极、NMOS晶体管M4的源极均与信号线SL电连接，并且还均与电阻R1的一端电连接，而电阻R1的另一端接地； 阻变式存储器RRAM1的顶部电极与信号线BLA电连接；NMOS晶体管M3的漏极与信号线BLB电连接；阻变式存储器RRAM3的顶部电极与信号线BL0电连接。

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