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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210068744.1，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元是由赵强;李正亚;高珊;郝礼才;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元，包括4个NMOS晶体管和8个PMOS晶体管；内部存储节点I2和I3由P2和P3交叉耦合，外部存储节点I1和I4由N1和N2交叉耦合；P1和P4作为上拉管，P1和P4对I2和I3进行加固，I2和I3全部由PMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；I2通过P7连接到第BLB，I3通过P8连接到BL，I1通过N3连接到BL，I4通过N4连接到BLB，N3和N4由WL控制，P7和P8由WWL控制。本发明能够提高SRAM存储单元的抗单粒子翻转能力，而且可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅提高SRAM存储单元写速度，降低了SRAM存储单元的功耗。

本发明授权一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元在权利要求书中公布了：1.一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元，其特征在于，包括4个NMOS晶体管和8个PMOS晶体管，这4个NMOS晶体管分别定义为N1、N2、N3、N4；这8个PMOS晶体管分别定义为P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8； 内部存储节点I2和内部存储节点I3由PMOS晶体管P2和PMOS晶体管P3交叉耦合，外部存储节点I1和外部存储节点I4由NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2交叉耦合；PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P4作为上拉管，NMOS晶体管N1和NMOS晶体管N2作为下拉管；PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P4对内部存储节点I2和内部存储节点I3进行加固，内部存储节点I2和内部存储节点I3由PMOS晶体管P1-P8包围，这构成了极性加固结构；内部存储节点I2通过PMOS晶体管P7连接到第二位线BLB，内部存储节点I3通过PMOS晶体管P8连接到第一位线BL，外部存储节点I1通过NMOS晶体管N3连接到第一位线BL，外部存储节点I4通过NMOS晶体管N4连接到第二位线BLB，NMOS晶体管N3和NMOS晶体管N4由第一字线WL控制，PMOS晶体管P7和PMOS晶体管P8由第二字线WWL控制； 其中，PMOS晶体管P2的漏极与PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P5的源极电连接于内部存储节点I2，PMOS晶体管P5的漏极接地，PMOS晶体管P3的漏极与PMOS晶体管P2的栅极、PMOS晶体管P6的源极电连接于内部存储节点I3，PMOS晶体管P6的漏极接地；NMOS晶体管N1的漏极与NMOS晶体管N2的栅极、PMOS晶体管P6的栅极电连接于外部存储节点I1，NMOS晶体管N1的源极接地，NMOS晶体管N2的漏极与NMOS晶体管N1的栅极、PMOS晶体管P5的栅极电连接于外部存储节点I4，NMOS晶体管N2的源极接地；PMOS晶体管P1的源极接电压VDD，PMOS晶体管P1的栅极与内部存储节点I2电连接，PMOS晶体管P1的漏极与外部存储节点I1、PMOS晶体管P3的源极电连接；PMOS晶体管P4的源极接电压VDD，PMOS晶体管P4的栅极与内部存储节点I3电连接，PMOS晶体管P4的漏极与外部存储节点I4、PMOS晶体管P2的源极电连接； PMOS晶体管P7的漏极与内部存储节点I2电连接，PMOS晶体管P7的源极与第二位线BLB电连接，PMOS晶体管P7的栅极与第二字线WWL电连接；PMOS晶体管P8的漏极与内部存储节点I3电连接，PMOS晶体管P8的源极与第一位线BL电连接，PMOS晶体管P8的栅极与第二字线WWL电连接； NMOS晶体管N3的漏极与外部存储节点I1电连接，NMOS晶体管N3的源极与第一位线BL电连接，NMOS晶体管N3的栅极与第一字线WL电连接；NMOS晶体管N4的漏极与外部存储节点I4电连接，NMOS晶体管N4的源极与第二位线BLB电连接，NMOS晶体管N4的栅极与第一字线WL电连接。

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