安徽大学郝礼才获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种14T抗辐照SRAM存储单元电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114496021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210068745.6,技术领域涉及:G11C11/411;该发明授权一种14T抗辐照SRAM存储单元电路是由郝礼才;刘新宇;彭春雨;赵强;卢文娟;高珊;蔺智挺;吴秀龙;陈军宁设计研发完成,并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种14T抗辐照SRAM存储单元电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路,包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管;PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器,PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器,这两个反向器交叉耦合;N1与N2对内部存储节点QB与Q进行加固,Q与QB全部由NMOS晶体管包围,这构成了极性加固结构;外围节点S0与S1由P1和P2交叉耦合,N5与N6作为下拉管;QB与Q通过N7与N8连接到BLB和BL,N7的栅极和N8的栅极均与字线WL电连接。本发明可以提高单元抗单粒子翻转能力,能够抵抗所有的单节点翻转,还可以抵抗外围存储双节点翻转,而且单元的临界电荷相对较高,单元更加稳定。
本发明授权一种14T抗辐照SRAM存储单元电路在权利要求书中公布了:1.一种14T抗辐照SRAM存储单元电路,其特征在于,包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管;这8个NMOS晶体管分别定义为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8;这6个PMOS晶体管分别定义为P1、P2、P3、P4、P5、P6; PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器,PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器,这两个反向器交叉耦合;PMOS晶体管P3与PMOS晶体管P4作为上拉管;PMOS晶体管P5的漏极与NMOS晶体管N3的漏极之间设有内部存储节点QB,PMOS晶体管P6的漏极与NMOS晶体管N4的漏极之间设有内部存储节点Q,NMOS晶体管N1与NMOS晶体管N2对内部存储节点QB与内部存储节点Q进行加固,内部存储节点Q和内部存储节点QB由NMOS晶体管N1-N8包围,这构成了极性加固结构; 外围节点S0与外围节点S1由PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P2交叉耦合,NMOS晶体管N5与NMOS晶体管N6作为下拉管;内部存储节点QB通过NMOS晶体管N7连接到第二位线BLB,内部存储节点Q通过NMOS晶体管N8连接到第一位线BL,NMOS晶体管N7的栅极和NMOS晶体管N8的栅极均与字线WL电连接; 其中,PMOS晶体管P5的漏极与NMOS晶体管N1的漏极电连接,NMOS晶体管N1的源极与NMOS晶体管N3的漏极电连接于内部存储节点QB,NMOS晶体管N3的源极接地;PMOS晶体管P6的漏极与NMOS晶体管N2的漏极电连接,MOS晶体管N2的源极与NMOS晶体管N4的漏极电连接于内部存储节点Q,NMOS晶体管N4的源极接地;内部存储节点QB与PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N4的栅极电连接在一起,内部存储节点Q与PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N3的栅极电连接在一起; PMOS晶体管P3的漏极与PMOS晶体管P5的源极电连接,PMOS晶体管P3的源极接电压VDD;PMOS晶体管P4的漏极与PMOS晶体管P6的源极电连接,PMOS晶体管P4的源极接电压VDD; PMOS晶体管P1的源极接电压VDD,PMOS晶体管P1的漏极与PMOS晶体管P2的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N5的漏极电连接于外围节点S0;NMOS晶体管N5的栅极与内部存储节点Q电连接,NMOS晶体管N5的源极接地;PMOS晶体管P2的源极接电压VDD,PMOS晶体管P2的漏极与PMOS晶体管P1的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N6的漏极电连接于外围节点S1;NMOS晶体管N6的栅极与内部存储节点QB电连接,NMOS晶体管N6的源极接地;PMOS晶体管P1的栅极与PMOS晶体管P3的栅极电连接;PMOS晶体管P2的栅极与PMOS晶体管P4的栅极电连接; NMOS晶体管N7的漏极与内部存储节点QB电连接,NMOS晶体管N7的源极与第二位线BLB电连接,NMOS晶体管N7的栅极与字线WL电连接;NMOS晶体管N8的漏极与内部存储节点Q电连接,NMOS晶体管N8的源极与第一位线BL电连接,NMOS晶体管N8的栅极与字线WL电连接。
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