长江存储科技有限责任公司郑文凯获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114549450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210148665.1,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质是由郑文凯;陈金星;陈广甸;汪严莉设计研发完成,并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质在说明书摘要公布了:本申请实施方式提供了一种半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质。部分实施例中,半导体结构的缺陷检测方法包括:识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点;确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离;以及根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。本申请实施方式提供的半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质可检测半导体结构的沟道孔的缺陷。
本发明授权半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的缺陷检测方法,其特征在于,包括: 识别所述半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点和凹点; 确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离;以及 根据所确定出的偏移距离确定所述沟道孔的缺陷程度; 其中,确定所述凸出程度最大的凸点包括: 确定各个所述凹点至与所述凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离,并从所述凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点;以及, 从与所述第一凹点相邻的两个凸点中确定出所述凸出程度最大的凸点。
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