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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210198842.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法是由段宝兴;李明哲;杨银堂设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法。该器件在衬底上半部分设置部分折叠状结构；折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极，位于应力介质层上方的平面延伸栅电极与平面漏区消除全折叠结构拐角处的电场集中，避免在拐角处发生提前击穿，器件的击穿电压提高。应力介质层通过三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；同时，器件在关断状态时，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路减小器件的比导通电阻。

本发明授权具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：包括半导体材料的衬底1；衬底1上半部分通过沟槽刻蚀工艺形成部分折叠状结构； 衬底1下半部分的左右两侧分别形成有基区2和漂移区3； 基区2表面形成有源区4； 漂移区3对应的非折叠状结构区域形成有漏区5； 源区4的左侧形成有基区衬底接触6； 在折叠状结构处且对应于漂移区的部分形成有缓冲层7和应力介质层8，且缓冲层7和应力介质层8均成倒“U”字形，缓冲层7位于应力介质层8与漂移区3之间，应力介质层8的长度与漂移区3长度相当，应力介质层8右边界位于漂移区3中漏区5一侧，应力介质层8左边界靠近漂移区3和基区2分界线的右侧； 在折叠状结构处且对应于基区2的部分形成有栅绝缘层9； 在栅绝缘层9表面以及应力介质层8的顶部形成有延伸栅电极10；延伸栅电极10长度根据耐压需求进行调整； 在折叠状结构处且对应于源区4与基区衬底接触6的部分形成有源电极11；源电极11呈倒“U”字形； 漏区5的顶面形成有平板结构的漏电极12。

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