东芯半导体股份有限公司苏万锡获国家专利权
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龙图腾网获悉东芯半导体股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210207403.8，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件是由苏万锡;李海旭设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有第一区域和第二区域；器件层，形成在第一区域上；以及虚拟结构，形成在第二区域上，其中虚拟结构包括相互嵌套的第一螺旋形虚拟层和第二螺旋形虚拟层。以此方式，形成在半导体器件上的虚拟结构不但可以用来使芯片版图密度均匀化，而且还可以用作存储电容器。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，具有第一区域和第二区域； 器件层，形成在所述第一区域上；以及 虚拟结构，形成在所述第二区域上， 其中所述虚拟结构包括相互嵌套的第一螺旋形虚拟层和第二螺旋形虚拟层， 其中所述第一螺旋形虚拟层被施加第一直流电压，所述第二螺旋形虚拟层被施加第二直流电压，所述第一直流电压大于第二直流电压， 其中所述第一螺旋形虚拟层和所述第二螺旋形虚拟层彼此以预定间隔相邻定位，并且其中所述第一螺旋形虚拟层与所述第二螺旋形虚拟层之间通过所述预定间隔和电压差形成电容， 其中所述第一螺旋形虚拟层和所述第二螺旋形虚拟层具有方形螺旋图案，所述方形螺旋图案为由首尾相接的线段所构成的折线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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