绍兴同芯成集成电路有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种晶圆切割工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210233906.2，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种晶圆切割工艺是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆切割工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：S1、于晶圆正面切割道处切割形成宽而浅的沟槽A，研磨晶圆背面使晶圆减薄；S2、翻转晶圆正面朝上置入第一载盘中；S3、翻转晶圆背面朝上置入第二载盘中，晶圆侧壁外圈SOG进行封堵；S4、在晶圆背面对应切割道处切割形成窄而深的沟槽B，最后进行背面的粒子植入及背面金属制程；S5、采用晶圆环切机沿对晶圆边缘处SOG切断，用裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开。本发明工艺减少了载板键合解键合的步骤，同时利用正面的沟槽切割背面切割道，无需双面曝光，最后采用裂片技术断开两面沟槽衔接处，快速完成晶圆切割，提高了晶圆切割的效率，降低了晶圆切割的成本。
本发明授权一种晶圆切割工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆切割工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、于完成正面制程的晶圆正面切割道处切割形成宽而浅的沟槽A，然后将晶圆正面粘附研磨胶带，研磨晶圆背面使晶圆减薄至所需厚度； S2、在减薄后的晶圆背面贴在第一载盘的凹槽中，然后整体翻转研磨胶带、晶圆和第一载盘，揭下研磨胶带后晶圆正面朝上置入第一载盘中； S3、将晶圆正面贴在第二载盘的凹槽中，然后整体翻转第一载盘、晶圆和第二载盘，取下第一载盘后晶圆背面朝上置入第二载盘中，在晶圆侧壁外圈处通过旋转涂布介质SOG进行封堵； S4、在晶圆背面对应切割道处切割形成窄而深的沟槽B，最后进行背面的粒子植入及背面金属制程； S5、采用晶圆环切机沿对晶圆边缘处SOG切断，然后再晶圆背面贴附在切割模框上，整体翻转切割模框、晶圆和载盘，取下正面的载盘后用裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开。
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