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龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210234121.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺，具体包括以下步骤：S1、完成正面制程后预切割部分深度；S2、完成晶圆背面减薄；S3、将减薄后晶圆置于载盘中；S4、在晶圆边缘形成环形的光阻封堵，在晶圆背面预切割一定深度；S5、完成背面金属制程，除去光阻封堵；S6、裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开；S7、将晶圆正面转移至第二切割模框，完成晶圆的切割。本发明利用伯努利原理将超薄晶圆吹平后置于凹槽型载盘承载中，克服了超薄晶圆的翘曲问题，同时利用凹槽型载盘提供应力支撑，进行两次预切割后裂片，也解决了超薄晶圆在直接切割时易发生裂片的问题。

本发明授权一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺，其特征在于，具体包括以下步骤： S1、晶圆完成正面制程后，沿切割道区域切割部分深度； S2、将晶圆正面贴附研磨胶带，完成晶圆背面减薄； S3、将减薄后晶圆利用伯努利原理吹平后贴附于载盘中； S4、于晶圆背面及载盘表面涂布光阻，曝光、显影、蚀刻后在晶圆边缘形成环形的光阻封堵，然后在晶圆背面沿切割道区域进行切割，切割深度为余下晶圆总厚度的70-85％； S5、完成背面金属制程，同时利用溶剂溶解除去光阻的封堵区域； S6、将晶圆背面贴附于第一切割模框上，用裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开； S7、将晶圆正面贴附在第二切割模框上，将断开的晶粒转移至第二切割模框，断裂残渣留在第一切割模框上，完成晶圆的切割； 所述步骤S3中于负压操作箱中采用带喷气机构的机械臂与晶圆背面喷吹空气使晶圆悬浮，然后通过机械夹持手臂将带有气孔的载盘置于晶圆上方后整体翻转晶圆和载盘使晶圆置于载盘的凹槽中； 所述步骤S3中载盘中间开设有凹槽，凹槽底部开设有若干透气孔，所述载盘为金属、玻璃或陶瓷载盘。

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