中国电子科技南湖研究院戚佳斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技南湖研究院申请的专利制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210300421.0，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法是由戚佳斌;李忠贤;赵毅设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法，以单晶硅片为基础，通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、保护膜沉积、半导体芯片高温制备、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜半导体器件，以及通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜。采用水溶性GeO基无机化合物作为牺牲层，绿色环保、刻蚀速度快，并兼容半导体芯片高温制备工艺，大大提高半导体器件性能，生产效率高、良品率高、成本低。
本发明授权制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件的方法，其特征在于：所述制备柔性单晶硅薄膜半导体器件的方法包括如下步骤： S1、在预处理后的单晶硅片上沉积应力缓冲膜； S2、在所述应力缓冲膜上制备牺牲层形成第一膜层组件，所述牺牲层为水溶性GeO基无机化合物； S3、将两个所述第一膜层组件的牺牲层键合形成第二膜层组件； S4、将所述第二膜层组件的其一单晶硅片加工减薄至厚度为0.2μm～80μm； S5、将减薄后的所述第二膜层组件没入纯水中对键合后的牺牲层进行预刻蚀； S6、在预刻蚀后的第二膜层组件的侧壁上沉积保护膜，所述保护膜覆盖键合后的牺牲层； S7、在减薄的单晶硅片上制备半导体芯片，再依次涂覆聚合物膜和光刻胶； S8、进行光刻图形化后将所述光刻胶的去除区域刻蚀至键合后的牺牲层的任意厚度，然后去除余留的所述光刻胶； S9、将去除光刻胶后的第二膜层组件放入纯水中对键合后的牺牲层完成刻蚀，获得柔性单晶硅薄膜半导体器件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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