华中科技大学陈材获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种降低受热翘曲的DBC基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759007B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210330995.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种降低受热翘曲的DBC基板是由陈材;张弛;杜梦瑶;康勇设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低受热翘曲的DBC基板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低受热翘曲的DBC基板，属于功率半导体技术领域。从上到下依次包括：顶部铜层、绝缘陶瓷层及底部铜层；所述顶部铜层上开设有多个并列排布的元器件焊接区域，相邻元器件焊接区域之间设有绝缘间隙；所述底部铜层上设置有减荷槽区域，所述减荷槽区域与所述绝缘间隙的竖直中心线重合，且所述减荷槽区域的宽度不小于所述绝缘间隙的宽度；在所述减荷槽区域内开设有多个呈阵列状分布的减荷槽。本发明通过设置呈阵列状分布的减荷槽，改变底部铜层在该区域内的弯曲程度，能够减小DBC基板受热时由于绝缘陶瓷层与底部铜层的材料热膨胀系数不同引起的翘曲变形；能够将原集中应力进行削弱，提升基板的热循环寿命。
本发明授权一种降低受热翘曲的DBC基板在权利要求书中公布了：1.一种降低受热翘曲的DBC基板，从上到下依次包括：顶部铜层1、绝缘陶瓷层4及底部铜层5；所述顶部铜层1上开设有多个并列排布的元器件焊接区域，相邻元器件焊接区域之间设有绝缘间隙3，其特征在于，所述底部铜层5上设置有减荷槽区域，所述减荷槽区域与所述绝缘间隙的竖直中心线重合，且所述减荷槽区域的宽度不小于所述绝缘间隙的宽度；在所述减荷槽区域内开设有多个呈阵列状分布的减荷槽；所述减荷槽为球坑。
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