三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社王文君获国家专利权
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龙图腾网获悉三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社申请的专利制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210355747.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备是由王文君设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备在说明书摘要公布了：本公开提供了制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备。所述制造半导体封装件的方法包括：制备具有第一连接区域的基板和具有第二连接区域的传感器芯片；在基板的第一连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第一键合层；在传感器芯片的第二连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第二键合层；将基板与传感器芯片彼此叠置以使第一键合层和第二键合层彼此对准并压紧，获得复合结构；并且将复合结构在30‑180℃的温度、1‑8Mpa的压力、10‑30kHz的超声波下处理一段时间以使第一键合层与第二键合层形成共晶体。
本发明授权制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装件的方法，包括： 制备具有第一连接区域的基板和具有第二连接区域的传感器芯片； 在所述基板的所述第一连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第一键合层； 在所述传感器芯片的所述第二连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第二键合层； 将所述基板与所述传感器芯片彼此叠置以使所述第一键合层和所述第二键合层彼此对准并压紧，获得复合结构；并且 将所述复合结构在30-180℃的温度、1-8Mpa的压力、10-30kHz的超声波下处理一段时间以使所述第一键合层与所述第二键合层形成共晶体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社，其通讯地址为：215021 江苏省苏州市工业园区凤里街337号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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