深圳市华星光电半导体显示技术有限公司章仟益获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210419944.7，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权显示面板及其制备方法是由章仟益设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板、一种显示面板制备方法，在面阴极搭接区，该显示面板包括阵列基板、辅助电极、发光材料层、阴极，辅助电极与阵列基板之间设置有底切凹槽，发光材料层填充于底切凹槽内，阴极与辅助电极呈面接触设置；通过使发光材料层填充于底切凹槽内，露出的部分辅助电极与阴极接触，增大阴极与辅助电极的接触面积，降低了阴极的接触阻抗，缓解了现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。
本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，包括面阴极搭接区，其特征在于，所述面阴极搭接区包括： 阵列基板； 辅助电极，所述辅助电极设置于所述阵列基板上方； 发光材料层，所述发光材料层设置于所述阵列基板上方； 阴极，所述阴极设置于所述发光材料层、所述辅助电极上方，所述阴极与所述辅助电极搭接； 其中，所述阵列基板上方还依次设置有钝化层、平坦层、像素定义层，在所述面阴极搭接区设置有一贯穿所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层的过孔，所述辅助电极设置于所述过孔内，所述辅助电极与所述阵列基板之间形成有底切凹槽，所述底切凹槽内填充有所述发光材料层，所述辅助电极包括第一电极以及设置于所述第一电极远离所述阵列基板一侧的第二电极，所述第一电极与所述阵列基板形成所述底切凹槽，所述第一电极包括第一部分、设置于所述第一部分远离所述阵列基板一侧的第二部分，所述第一部分在所述阵列基板上的正投影小于所述第二部分在所述阵列基板上的正投影，所述第二电极远离所述阵列基板的表面凸起，所述凸起朝向远离所述阵列基板的一侧以形成至少一斜面，所述斜面用于引导有机材料进入底切凹槽内。
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