哈工大机器人(合肥)国际创新研究院杨秀咏获国家专利权
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龙图腾网获悉哈工大机器人(合肥)国际创新研究院申请的专利新型超材料多光谱成像芯片及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114812815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210434237.5,技术领域涉及:G01J3/28;该发明授权新型超材料多光谱成像芯片及其制备方法是由杨秀咏;徐辉;于振中;赵福臣设计研发完成,并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本新型超材料多光谱成像芯片及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种新型超材料多光谱成像芯片及其制备方法,属于光学传感器技术领域,包括:多通道超材料滤光阵列、微透镜阵列和图像传感器,多通道超材料滤光阵列位于微透镜阵列和图像传感器之间并且集成于图像传感器;多通道超材料滤光阵列包括基底层、纳米孔阵列结构层和等离子体共振效应覆盖层,等离子体共振效应覆盖层位于纳米孔阵列结构层上表面,基底层位于纳米孔阵列结构层下表面。本发明将多通道超材料滤光阵列和微透镜阵列直接构建封装在商用的CMOS图像传感器硅芯片上,实现多波长通道的成像和光谱采集,且构建的多光谱成像芯片紧凑型。
本发明授权新型超材料多光谱成像芯片及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多光谱成像芯片,其特征在于,所述芯片包括:多通道超材料滤光阵列、微透镜阵列和图像传感器,所述多通道超材料滤光阵列位于所述微透镜阵列和所述图像传感器之间并且集成于所述图像传感器; 所述多通道超材料滤光阵列包括基底层、纳米孔阵列结构层和等离子体共振效应覆盖层,所述等离子体共振效应覆盖层位于所述纳米孔阵列结构层上表面,所述基底层位于所述纳米孔阵列结构层下表面; 纳米孔阵列结构层包括多个滤光区域,每个滤光区域对应图像传感器的多个像元,每个滤光区域包括孔径和周期相同的金属纳米孔阵列,不同滤光区域金属纳米孔阵列的孔径和周期不同。
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