中国科学院重庆绿色智能技术研究院张炜获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114895525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210506255.X，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法是由张炜;常林设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法，通过在纳米球光刻中的纳米球和晶圆之间插入相同材料的嵌层，使RIE刻蚀过程同时具有各向同性和各向异性刻蚀的作用，因而在纳米球和嵌层的共同作用下可通过一步刻蚀形成各种结构，包括nanoplate、nanomushroom、nanopillar、nanoneedle等。此外，单个结构单元的尺寸、周期和深宽比可以通过刻蚀条件和相对尺寸进行精确调控。开创了在光刻技术中，制备具有二级结构、且其顶层结构尺寸大于底层结构尺寸的先例。
本发明授权一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌层触发多图形化纳米球光刻方法，采用依次设置的spacer层和nanosphere层作为掩膜，所述spacer层和nanosphere层具有相同的材料； 所述多图形化至少包括nanoplate、nanomushroom、nanopillar、nanoneedle的四个形态的顺序演变阶段； 其中，nanoplate为硅结构未被刻蚀，硅结构上具有上表面基本为平面的掩膜， nanomushroom为下方为nanopillar硅结构，且上方为具有扇形截面的帽子形状的掩膜， nanopillar为纵截面呈梯形截面或类似梯形截面的硅结构，类似梯形截面指上表面在截面上不为水平直线，为弧线，但不具有尖端， nanoneedle为纵截面自下而上具有阶梯式变化的直径大小，且纵截面顶部具有尖锐的尖端的硅结构。
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