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龙图腾网获悉福建中科光芯光电科技有限公司申请的专利一种INP片减薄抛光工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210504658.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种INP片减薄抛光工艺方法是由黄惠莺;薛正群设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种INP片减薄抛光工艺方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种INP片减薄抛光工艺方法，包括以下步骤：（1）将带光刻胶的晶圆上蜡粘片，在减薄设备上减薄至120~125um；（2）将晶圆从减薄设备上取下，放到抛光设备上，让晶圆与抛光盘上的抛光垫接触；（3）抛光10~20min，将晶圆抛光至80‑100um；抛光过程中控制抛光液持续出液，抛光温度23~27℃，抛光压力180~300gcm2；（4）对晶圆进行清洗、吹干后，融蜡下片；（5）进行N面一次金属镀膜；（6）退火，然后划裂解条。该方法有利于提高产品性能，得到高质量芯片。

本发明授权一种INP片减薄抛光工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种INP片减薄抛光工艺方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将带光刻胶的晶圆上蜡粘片，在减薄设备上减薄至120～125um； 2将晶圆从减薄设备上取下，放到抛光设备上，让晶圆与抛光盘上的抛光垫接触； 3抛光10～20min，将晶圆抛光至80-100um；抛光过程中控制抛光液持续出液，抛光温度23～27℃，抛光压力180～300gcm2； 4对晶圆进行清洗、吹干后，融蜡下片； 5进行N面一次金属镀膜； 6退火，然后划裂解条； 步骤2中，所述抛光垫采用聚氨酯抛光垫，其为具有一定弹性的疏松多孔材料，用于存储和运输抛光液，对INP片提供一定压力并对其表面进行摩擦； 步骤3中，抛光液采用氧化铝抛光液ASCP2002，其为具有50nm悬浮颗粒的无味、无毒的白色乳液；PH范围在11-12之间，25℃下的固含量为8％-12％，与抛光压力、抛光转速相适应，以提高抛光速率和抛光的表面质量； 步骤3中，通过蠕动泵控制抛光液一直出液，抛光总流量控制在250-300ml之间； 步骤4中，采用清洗粉:水＝100:1配比的清洗液进行清洁，然后氮气吹干； 步骤5中，采用盐酸:水＝1:3的溶液静置酸洗1分钟，然后进行N面一次金属镀膜。

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