深圳市尚鼎芯科技有限公司刘道国获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申请的专利矩阵排列式功率mos管及其pmos矩形单元版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210512946.0，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权矩阵排列式功率mos管及其pmos矩形单元版图是由刘道国设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本矩阵排列式功率mos管及其pmos矩形单元版图在说明书摘要公布了：本发明公开了一种矩阵排列式功率mos管及其pmos矩形单元版图，功率mos管包括多组重复设置的pmos矩阵单元，pmos矩形单元根据外部元件所需电流的大小以调整为重复数量；其中，每组pmos单元均含有栅极、源极和漏极，相邻的两组pmos矩阵单元的漏极和源极相连接，栅极和源极相连接；根据外部元件所需的电流不同大小，可以适配的调整pmos的排列数量以满足的功率mos管在的不同场景的中的应用，无需重新对功率mos管进行整体设计。
本发明授权矩阵排列式功率mos管及其pmos矩形单元版图在权利要求书中公布了：1.一种矩阵排列式功率mos管，其特征在于，包括多组重复设置的pmos矩阵单元，pmos矩形单元根据外部元件所需电流的大小以调整其重复数量；其中，每组pmos矩形单元均含有栅极、源极和漏极，相邻的两组pmos矩阵单元的漏极和源极相连接；单个poms矩形单元的栅极和源极相连接； 其中，相邻的两组pmos矩阵单元的漏极和源极通过第一二极管进行连接；单个pmos矩形单元的栅极和源极通过第二二极管进行连接；第一二极管和第二二极管的类型均为双向瞬变抑制二极管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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