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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利多路控制复合功能器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210566321.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权多路控制复合功能器件是由毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张金风;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本多路控制复合功能器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多路控制复合功能器件，主要解决现有氮化镓基功率晶体管只能单向阻断的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，沟道层和势垒层通过内部的隔离深槽分成多个条状结构；每个条状结构从左至右依次设置有左电极、左P型块、左凹槽、节点，右P型块、右凹槽、右电极；势垒层上部的左、右P型块上分别为左、右介质块；左、右介质块上部分别为左、右栅极；左、右凹槽均由n个等间距平行排列的矩形槽构成，其下侧均位于沟道层中；左、右凹槽内部与其凹槽两侧的势垒层上分别设有第一电极和第二电极，这两个电极均由n个大小相同的T型金属块构成。本发明能实现双向阻断，芯片面积利用率高，可用作电力电子系统。

本发明授权多路控制复合功能器件在权利要求书中公布了：1.一种多路控制复合功能器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、沟道层3和势垒层4，其特征在于： 所述沟道层3和势垒层4内部设有隔离深槽5，该隔离深槽5由m个大小相同且前、后分布的深槽构成，相邻两个深槽之间的距离相等，m＞1； 所述隔离深槽5将沟道层3和势垒层4分成m+1个条状结构，在每个条状结构上，从左至右依次设置有左电极10、左P型块6、左凹槽13、节点12，右P型块7、右凹槽14、右电极11； 所述左P型块6与右P型块7均位于势垒层4上部，其上侧分别设有左介质块8与右介质块9； 所述左凹槽13与右凹槽14均由n个矩形槽构成，这n个矩形槽为等间距平行排列，其下侧均位于沟道层3中； 所述左凹槽13中设有第一电极15，右凹槽14中设有第二电极16，该第一电极与第二电极均由n个大小相同的T型金属块构成，这些T型金属块的垂直部分下侧均位于沟道层3内部，水平部分的下侧位于势垒层4上表面，n＞1； 所述左介质块8与右介质块9上部分别设有左栅极17与右栅极18。

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