西安电子科技大学毛维获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210568477.4，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法是由毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张涛;张苇杭;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双向耐压单向导通功率开关器件，主要解决传统氮化镓基功率开关器件存在的只能单向阻断的问题，其自下而上包括：衬底、过渡层、沟道层和势垒层，势垒层上部设有P型块、介质块与栅极，势垒层上部的左、右侧边缘分别设有阴极和漏极；阴极与P型块之间的势垒层和沟道层内设有由n个大小相同且平行排列的矩形槽所组成的凹槽；凹槽内部及部分势垒层上部设有由n个大小相同的T型金属条所构成的肖特基电极；该肖特基电极既与漏极、栅极构成HEMT晶体管，又与阴极构成二极管，形成由HEMT晶体管与二极管复合而成的开关器件结构。本发明能提升器件的双向阻断能力和可靠性，可作为电力电子系统的基本器件。
本发明授权双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双向耐压单向导通功率开关器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、沟道层3和势垒层4，势垒层4上部设有P型块5，其特征在于： 所述势垒层4的上部左、右侧边缘分别设有阴极7和漏极8； 所述阴极7与P型块5之间的势垒层4和沟道层3内设有凹槽9，该凹槽9由n个大小相同且平行排列的矩形槽组成，其中n＞1； 所述凹槽9内部及部分势垒层4上部设有肖特基电极10，该肖特基电极10包括n个大小相同的T型金属条，这些T型金属条的垂直部分下侧均位于凹槽9内部，T型金属条水平部分位于势垒层4上部； 所述P型块5上部设有介质块6，该介质块的上部设置有栅极11； 所述肖特基电极10既作为HEMT晶体管的源极，又作为二极管的阳极，即肖特基电极10与漏极8、栅极11构成HEMT晶体管，肖特基电极10与阴极7构成二极管，形成由HEMT晶体管与二极管复合而成的开关器件结构。
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