西安电子科技大学毛维获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利低阻逆导型垂直功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564385.9，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权低阻逆导型垂直功率器件及其制作方法是由毛维;杨卿慧;杨翠;杜鸣;马佩军;张弘;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本低阻逆导型垂直功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低阻逆导型垂直功率器件及其制作方法，主要解决现有垂直型功率器件功率损耗大的问题，其包括：漏极、衬底、孔径层、沟道层和势垒层，孔径层两侧设有两个对称的阻挡层，沟道层和势垒层的左、右两侧设置有源极，势垒层中心设有多个调制槽，每个调制槽的上部设有P型块，这些P型块之间设有调制金属块；P型块与调制金属块之上设有调制电极；两个源极的内侧设有左、右栅槽，每个栅槽上方设有P型栅，这两个P型栅的上部均淀积有栅极；势垒层和多个调制金属块构成内嵌的肖特基二极管，以实现电流由漏极到调制电极的通路。本发明开启压降低，功率损耗小，制作工艺简单，可作为高可靠功率电子系统的基本器件。
本发明授权低阻逆导型垂直功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低阻逆导型垂直功率器件，自下而上包括：漏极15、氮化镓同质衬底1、漂移层2、孔径层3、沟道层5、势垒层6，该孔径层3的两侧设有两个对称的阻挡层4，该沟道层5和势垒层6的左、右两侧均设置有源极7，其特征在于： 所述势垒层6内部的居中位置设有等间隔排布的n个调制槽8，每个调制槽的上方均设有n个P型块11，这些P型块之间设有调制金属块12，总共设有n-1个调制金属块； 所述n个P型块11与n-1个调制金属块12之上设有调制电极13； 所述两个源极7的内侧分布设有左、右两个栅槽9，栅槽的下部位于势垒层6中，栅槽9上方设有P型栅10，这两个P型栅的上部均淀积有栅极14； 所述势垒层6和n-1个调制金属块12构成内嵌的肖特基二极管，即调制金属块12为阳极，势垒层6为阴极，以实现从调制电极13到漏极15的电流通路。
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