西安电子科技大学毛维获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利共源型功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564383.X，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权共源型功率器件及其制作方法是由毛维;杨翠;裴晨;杜鸣;马佩军;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本共源型功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种共源型功率器件及其制作方法，主要解决现有开关器件存在的不能同时进行双向导通和双向阻断的问题，其包括：衬底、过渡层、第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层和第二势垒层，这两个沟道层与两个势垒层的左、右两侧均设有台面，这两个台面上分别设有左、右漏极；第二沟道层与第二势垒层的中间均设有N+区，该N+区的下侧位于第二沟道层内，且N+区上部与第一沟道层之间设有凹槽，凹槽内设有阳极与源极；左漏极与源极之间的第二势垒层上设有左P型块和左栅极；右漏极与源极之间的第二势垒层上设有右P型块和右栅极。本发明可同时实现双向导通和双向阻断，减小二极管模式下的开启电压，降低损耗，提升集成度，可作为开关器件。
本发明授权共源型功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种共源型功率器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、第二沟道层5和第二势垒层6，其特征在于： 所述过渡层2与第二沟道层5之间插有第一沟道层3和第一势垒层4，且第一势垒层4位于第一沟道层3上部； 所述第一沟道层3、第一势垒层4、第二沟道层5、第二势垒层6的左、右两侧均设有台面7，这两个台面7的下端均位于过渡层2的上部，该左、右两侧的台面7上分别设有左漏极8与右漏极9； 所述第二沟道层5、第二势垒层6的中间位置设有N+区10，该N+区10的下侧位于第二沟道层5内部； 所述N+区10上部与第一沟道层3内部之间设有凹槽11，该凹槽内部的上、下部分别设有源极13和阳极12，且这两个电极的接触面位于N+区10的下侧； 所述左漏极8与源极13之间的第二势垒层6上设有左P型块14和左栅极16；右漏极9与源极13之间的第二势垒层6上设有右P型块15和右栅极17。
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