北京智芯半导体科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司温立国获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯半导体科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司申请的专利电平转换电路、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114978146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210573949.5，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权电平转换电路、芯片及电子设备是由温立国;田露;沈红伟;原义栋设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本电平转换电路、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电平转换电路、芯片及电子设备，其中电平转换电路包括：输入单元，输入单元与信号输入端相连，用于对信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压；衬底偏置转换单元，衬底偏置转换单元与输入单元相连，用于在第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流；电流镜像单元，电流镜像单元与衬底偏置转换单元相连，用于对第一电流和第二电流进行比较；输出电压转换单元，输出电压转换单元与电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过信号输出端输出。由此，实现了低功耗、大摆幅的电平转换功能，提高了电平转换电路的适用性。
本发明授权电平转换电路、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，其特征在于，包括： 输入单元，所述输入单元与信号输入端相连，用于对所述信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压； 衬底偏置转换单元，所述衬底偏置转换单元与所述输入单元相连，用于在所述第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流； 电流镜像单元，所述电流镜像单元与所述衬底偏置转换单元相连，用于对所述第一电流和所述第二电流进行比较； 输出电压转换单元，所述输出电压转换单元与所述电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过所述信号输出端输出。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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