深圳芯能半导体技术有限公司李江华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利一种带反向恢复二极管的IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210588423.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种带反向恢复二极管的IGBT器件及其制备方法是由李江华;刘杰设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带反向恢复二极管的IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带反向恢复二极管的IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括：NPN掺杂区，所述NPN掺杂区包括掺杂离子为N+型的两个近边缘区、掺杂离子为N++型的两个次边缘区以及掺杂离子为P+型的中原区，其中，所述N++型掺杂的离子浓度大于N+型掺杂的离子浓度。本发明通过对掺杂区不同掺杂浓度的掺杂实现对IGBT集成的快恢复二极管的排布和掺杂浓度进行重新定义，优化集成快恢复二极管IGBT的结构，使得集成了快恢复二极管的同时，有效优化芯片内部的电流分布，增大了对芯片的保护能力，使得芯片的鲁棒性更强，从结构上对芯片进行更有效的保护。
本发明授权一种带反向恢复二极管的IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带反向恢复二极管的IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述带反向恢复二极管的IGBT器件包括NPN掺杂区，所述NPN掺杂区包括掺杂离子为N+型的两个近边缘区、掺杂离子为N++型的两个次边缘区以及掺杂离子为P+型的中原区，所述次边缘区位于近边缘区和中原区之间； 其中，所述N++型掺杂的离子浓度大于N+型掺杂的离子浓度； 所述制备方法包括： 在N型衬底上制备多晶栅极； 通过离子注入的方式激活形成P型体区和N+体区； 在N+体区和多晶栅极上部通过沉积、光刻形成接触孔，进行顶部金属沉积和刻蚀，构成欧姆接触； 研磨掉部分N型衬底，并注入离子激活形成N型场终止区，在所述N型场终止区下部进行光刻和曝光，形成背面P+注入区域； 在所述背面P+注入区域内持续注入所述P+型掺杂离子得到所述中原区，在所述背面P+注入区域外持续注入所述N++型掺杂离子得到所述两个次边缘区，在所述背面P+注入区域外持续注入所述N+型掺杂离子得到所述两个近边缘区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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