长春理工大学欧阳名钊获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利带有保护性结构的抗反射微纳结构表面及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114988349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210585422.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权带有保护性结构的抗反射微纳结构表面及其制备方法是由欧阳名钊;钟楚怡;付跃刚;刘智颖;张磊;王加科;贺文俊;胡源;任航设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有保护性结构的抗反射微纳结构表面及其制备方法在说明书摘要公布了：带有保护性结构的抗反射微纳结构表面及其制备方法涉及微纳结构及制造领域，解决了现有技术对微纳结构不能得到保护的问题。该表面包括：基底、网栅结构和微纳结构；所述基底与微纳结构为一体化结构，网栅结构设置在所述基底上；所述网栅结构高于所述微纳结构。本发明对于各种微纳结构以及太阳能电池的保护，是从微观根本上实现抗损伤、抗污染以及超疏水性的特性。发明中结构的材料可以采用但不限于氧化层，在确保所用的材料具有一定硬度且光学性能适用于整体结构的情况下，结构均可以实现本发明所述的保护特性，且该结构制备流程简单，易于操作。
本发明授权带有保护性结构的抗反射微纳结构表面及其制备方法在权利要求书中公布了：1.带有保护性结构的抗反射微纳结构表面，其特征在于，该表面包括： 基底、网栅结构和微纳结构；所述基底与微纳结构为一体化结构，网栅结构设置在所述基底上；所述网栅结构高于所述微纳结构； 所述基底与微纳结构的材料为硅；所述网栅结构的材料为二氧化硅； 所述网栅结构的高度为100nm~1000nm； 制备所述的带有保护性结构的抗反射微纳结构表面的方法包括如下步骤： 步骤一：在硅基表面热生长一层二氧化硅； 步骤二：在所述二氧化硅表面匀光刻胶； 步骤三：基于所述网栅结构制备阳掩膜版，利用所述掩膜版对光刻胶进行曝光； 步骤四：对曝光后的光刻胶显影和后烘，得到带有图案的光刻胶薄膜； 步骤五：对所述硅基进行等离子刻蚀，得到所述网栅结构； 步骤六：基于所述微纳结构制备聚苯乙烯微球掩膜版； 步骤七：对设有聚苯乙烯微球掩膜版的硅基进行等离子刻蚀，得到带有 保护性结构的抗反射微纳结构。
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