赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司李立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617822.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由李立伟;杨云春;陆原;郭伟龙;肖文贺;谷佩霞;陈学志;李佩笑设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上刻蚀硅通孔；将硅衬底至于承载片上，在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；分离硅衬底及承载片，将硅衬底翻转后置于承载片上，利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层；如此，再次利用磁控溅射工艺在硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层，这样可以对单次磁控溅射在波纹衔接处形成的薄膜进行修补和加厚，提高薄膜在硅通孔侧壁的覆盖能力，进而提高扩散阻挡层的厚度和均匀性以及提高导体铜种子层薄弱处的厚度和整体的厚度均匀性，减少后续硅通孔中的铜导体的扩散，确保硅通孔工艺实现的可靠性，提高半导体器件的整体性能。
本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供硅衬底，在所述硅衬底上刻蚀硅通孔； 将所述硅衬底置于承载片上，利用磁控溅射工艺在所述硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层； 分离所述硅衬底及所述承载片，将所述硅衬底翻转后置于所述承载片上，再次利用所述磁控溅射工艺在所述硅通孔侧壁上形成扩散阻挡层以及铜种子层； 所述在硅衬底上刻蚀硅通孔，包括： 利用深硅刻蚀工艺在硅衬底上形成硅深孔； 在所述硅深孔表面形成氧化隔离层； 若所述硅深孔的密度大于预设的密度阈值，则在所述硅深孔内填充有机材料； 对所述硅衬底的背面进行减薄处理以及平坦化处理，在所述硅衬底上形成硅通孔； 利用湿法清洗工艺去除所述硅通孔中填充的有机材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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