苏州芯聚半导体有限公司刘佳擎获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州芯聚半导体有限公司申请的专利Micro-LED芯片结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210629758.6，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权Micro-LED芯片结构及其制作方法是由刘佳擎;韦冬;金峰;黄朝葵;张广庚设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED芯片结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种Micro‑LED芯片结构，所述芯片结构包括透光基板、形成于透光基板上的外延层，外延层包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，发光层形成于n型半导体层和p型半导体层之间，还包括反射层，反射层的光反射率大于外延层的光反射率；反射层完全覆盖外延层侧表面，以及部分覆盖透光基板侧表面。减少芯片侧面出光，提高Micro‑LED光取出率，降低能量损失，实现具有高亮度显示屏的要求；侧面包覆反射层，也能够阻止外延层内金属迁移，避免芯片正面切割工艺带来的切深、切宽对总体制作良率、裂痕、双晶甚至翻转损失的影响，提高Micro‑LED芯片的可靠性。
本发明授权Micro-LED芯片结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤： 提供一透光基板； 在所述透光基板上依次生长n型半导体层、发光层和p型半导体层形成外延层； 正面切割所述外延层上表面形成切割凹槽，所述切割凹槽延伸至所述透光基板内；正面切割所述透光基板，直至切割深度为所述透光基板厚度的40%~60%； 在所述切割凹槽内形成反射层，所述反射层的光反射率大于所述外延层的光反射率； 在所述正面切割所述外延层上表面形成切割凹槽，所述切割凹槽延伸至所述透光基板内，具体包括步骤： 沿所述p型半导体层上表面区域间隔向内刻蚀形成露出n型半导体层的沟槽； 在所述p型半导体层上表面和沟槽表面区域沉积保护层； 正面切割所述沟槽区域，在透光基板内形成切割凹槽； 利用热酸腐蚀工艺腐蚀所述保护层以及切割凹槽内的切割生成颗粒。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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