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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利GaN P沟道器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210650831.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权GaN P沟道器件及其制作方法是由王哲明;袁旭;于国浩;张璇;张宝顺设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN P沟道器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基P沟道器件及其制作方法。所述制作方法包括：提供外延结构，所述外延结构包括第一半导体层、第二半导体层和p型半导体层；对所述p型半导体层表面的第一区域进行刻蚀，直至使所述第一半导体层中与背电极对应的区域暴露；以磷酸溶液至少对所述外延结构进行腐蚀处理；制作背电极、源极及漏极；在所述p型半导体层的栅极区域刻蚀形成凹槽，至少以四甲基氢氧化铵溶液对凹槽进行修复处理，或者，依次以O等离子体和KOH溶液对凹槽进行修复处理，之后制作与所述凹槽配合的栅极。本发明实施例提供的一种基于良好的P型欧姆接触的GaNP沟道器件的制作方法，经磷酸腐蚀后能够产生诸多的Ga空位，进而提升了欧姆接触区域的空穴电流强度。

本发明授权GaN P沟道器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基P沟道器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的第一半导体层、第二半导体层和p型半导体层，所述p型半导体层包括p-GaN层，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成第一异质结构，所述第一异质结构中形成有二维电子气，所述第二半导体层与p型半导体层配合形成第二异质结构，所述第二异质结构中形成有二维空穴气； 对所述p型半导体层表面的第一区域进行刻蚀，直至使所述第一半导体层中与背电极对应的区域暴露； 至少使所述外延结构表面与磷酸溶液接触，实现对所述外延结构的腐蚀处理，以提取Ga空位； 制作背电极、源极及漏极，所述背电极设置在所述第一半导体层中与第一区域对应的区域，之后在含氧气氛中快速退火； 在所述p型半导体层的栅极区域刻蚀形成凹槽，至少以四甲基氢氧化铵溶液对凹槽进行修复处理，或者，依次以O等离子体和KOH溶液对凹槽进行修复处理，之后制作与所述凹槽配合的栅极，以及，将背电极与源极电连接。

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