上海华虹宏力半导体制造有限公司张连宝获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761846.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件的制造方法是由张连宝;梁海林;王卉;曹子贵设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上形成栅极结构，栅极结构两侧形成有隧穿氧化层及字线，隧穿氧化层覆盖衬底，字线覆盖栅极结构的侧壁及隧穿氧化层的部分顶面；减薄隧穿氧化层的暴露部分；形成第一侧墙，以覆盖字线的部分侧壁及隧穿氧化层的部分顶面，并在字线未被第一侧墙覆盖的表面处形成凹陷；形成具有开口的自对准硅化物阻挡层，以至少暴露栅极结构、字线及第一侧墙。本发明通过减薄隧穿氧化层的厚度，以减少或避免隧穿氧化层在后续刻蚀工艺中受到损伤，通过控制自对准硅化物阻挡层的刻蚀工艺时间减少或避免凹陷内残留氧化物，确保后续形成良好的金属硅化物层，减小闪存器件的接触电阻，提高闪存器件的性能及稳定性。
本发明授权闪存器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有隧穿氧化层及字线，所述隧穿氧化层覆盖所述衬底，所述字线覆盖所述栅极结构的侧壁以及所述隧穿氧化层的部分顶面； 对所述隧穿氧化层暴露出来的部分进行减薄，其中，减薄后的隧穿氧化层的厚度为减薄前的隧穿氧化层的厚度的40％～70％； 形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述字线的部分侧壁以及所述隧穿氧化层的部分顶面，并在所述字线未被第一侧墙覆盖的表面处形成凹陷；以及， 形成自对准硅化物阻挡层，并通过湿法刻蚀工艺在所述自对准硅化物阻挡层中形成开口，所述开口至少暴露所述栅极结构、所述字线及所述第一侧墙，其中，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为280sec～350sec。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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