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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种β-Ga₂O₃单晶缺陷性质的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210778296.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种β-Ga₂O₃单晶缺陷性质的计算方法是由徐晓东;魏亚东;李兴冀;杨剑群设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种β-Ga₂O₃单晶缺陷性质的计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法，包括：构建β‑Ga2O3原胞，通过调整HSE与PBE的比例，选择禁带宽度与实验值一致的混合参数作为实验参数；对β‑Ga2O3原胞进行扩胞，得到β‑Ga2O3超胞；在β‑Ga2O3超胞中构建缺陷模型，并对缺陷模型进行结构优化，选择步骤S3中得到的实验参数对缺陷模型结构进行自洽计算；提取步骤S5中计算文件的数据，获得所述稳定的缺陷模型的缺陷形成能和电荷转移能级。本发明提供的β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法利用HSE和PBE的杂化泛函计算缺陷形成能和电荷转移能级能够避免低估β‑Ga2O3中带隙的问题，获得更接近实验数据的计算结果。

本发明授权一种β-Ga₂O₃单晶缺陷性质的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种β-Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、构建β-Ga2O3原胞，将β-Ga2O3原胞的晶格参数调整为实验值，然后对其进行离子弛豫和结构优化，得到优化后的β-Ga2O3原胞； 步骤S2、分别采用不同的K点对所述优化后的β-Ga2O3原胞进行自洽计算，直至原胞的总能量不再随K点的变化而改变，则选择此时的K点对所述优化后的β-Ga2O3原胞进行能带计算，在所述能带计算过程中，通过调整HSE与PBE的比例，测试不同混合参数下所述优化后的β-Ga2O3原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值一致的混合参数作为实验参数； 步骤S3、对所述优化后的β-Ga2O3原胞进行扩胞，得到β-Ga2O3超胞； 步骤S4、在所述β-Ga2O3超胞中构建缺陷模型，并对所述缺陷模型进行结构优化，直至所述缺陷模型的结构能够达到一步自洽，得到稳定的缺陷模型结构； 步骤S5、选择所述步骤S2中得到的实验参数对所述稳定的缺陷模型结构进行自洽计算； 步骤S6、提取步骤S5中计算文件的数据，获得所述稳定的缺陷模型的缺陷形成能和电荷转移能级，并建立β-Ga2O3缺陷性质数据库。

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