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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210826221.9，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吴尚霖设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅介电层、栅极、层间介电层、第一导电氧化物层、第一电极以及第二电极。第一栅介电层位于金属氧化物半导体层之上。栅极位于第一栅介电层之上，且重叠于金属氧化物半导体层。层间介电层位于栅极之上。层间介电层具有第一接触孔。第一接触孔横向地分离于金属氧化物半导体层。第一导电氧化物层位于第一接触孔下方。第一电极填入第一接触孔，并通过第一导电氧化物层而电连接至金属氧化物半导体层。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 基板； 金属氧化物半导体层，位于该基板之上； 第一栅介电层，位于该金属氧化物半导体层之上； 第二栅介电层，位于该第一栅介电层之上并直接接触该第一栅介电层； 栅极，位于该第一栅介电层以及该第二栅介电层之上并直接接触该第二栅介电层，且在该基板的上表面的法线方向上重叠于该金属氧化物半导体层； 层间介电层，位于该栅极之上，其中该层间介电层具有第一接触孔以及第二接触孔，其中该第一接触孔横向地分离于该金属氧化物半导体层； 第一导电氧化物层，位于该第一接触孔下方，且连接该金属氧化物半导体层； 第一电极，填入该第一接触孔，并通过该第一导电氧化物层而电连接至该金属氧化物半导体层； 第二电极，填入该第二接触孔，并电连接至该金属氧化物半导体层； 第二导电氧化物层，位于该第二接触孔下方，且连接该金属氧化物半导体层，其中该第二电极通过该第二导电氧化物层而电连接至该金属氧化物半导体层； 其中该第一栅介电层具有重叠于该金属氧化物半导体层的第一开口，该第一导电氧化物层填入该第一开口以接触该金属氧化物半导体层的上表面，其中该第一栅介电层具有重叠于该金属氧化物半导体层的第二开口，该第二导电氧化物层填入该第二开口以接触该金属氧化物半导体层的上表面； 其中该第一导电氧化物层位于该第二栅介电层与该第一栅介电层之间，该第一导电氧化物层与该栅极之间的水平距离小于该第一开口与该栅极之间的水平距离，该第一导电氧化物层的第一部分自该第一开口往该栅极延伸且在法线方向上重叠于该金属氧化物半导体层，由此遮蔽该栅极与该第一电极之间的横向电场； 其中该第二导电氧化物层位于该第二栅介电层与该第一栅介电层之间，该第二导电氧化物层与该栅极之间的水平距离小于该第二开口与该栅极之间的水平距离，该第二导电氧化物层的第二部分自该第二开口往该栅极延伸且在法线方向上重叠于该金属氧化物半导体层，由此遮蔽该栅极与该第二电极之间的横向电场；以及 辅助导电氧化物层，位于该栅极与该金属氧化物半导体层之间且与该金属氧化物半导体层的上表面直接接触或位于该金属氧化物半导体层与该基板之间且与该金属氧化物半导体层的下表面直接接触，其中该辅助导电氧化物层和该第一导电氧化物层位于该金属氧化物半导体层的相反两侧，该第一栅介电层位于该栅极以及该辅助导电氧化物层之间,该辅助导电氧化物层的电阻率低于该金属氧化物半导体层的电阻率。

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