电子科技大学杜晓扬获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利含混合型伪平面/体异质结结构的NIR-OPDs及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211010184.0，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权含混合型伪平面/体异质结结构的NIR-OPDs及其制备方法和应用是由杜晓扬;余昕;林慧;何泽宇设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本含混合型伪平面/体异质结结构的NIR-OPDs及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含混合型伪平面体异质结结构的NIR‑OPDs及其制备方法和应用，涉及有机半导体薄膜光电探测器技术领域。具体采用的新型混合型伪平面体异质结结构，即在器件阴极和体异质结PPhTQ:COTIC‑4F层之间引入N2200层，基于此获得的近红外有机光电探测器在N2200层和体异质结层的界面具有高的空穴注入势垒，并综合了平面异质结和体异质结的优势，实现了在保证与传统体异质结结构器件的光电流相当的前提下，有效抑制抑制外部载流子的注入，达到了降低暗电流而不损失光响应电流的双重作用，从而增强了有机光电探测器对微弱近红外光信号的有效探测。此外，混合异质结结构近红外有机光电探测器在酒精浓度检测中表现出优异的性能，能以2％的精确度快速量化混合溶液中的酒精含量。
本发明授权含混合型伪平面/体异质结结构的NIR-OPDs及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种含混合型伪平面体异质结结构的NIR-OPDs，包括自下而上依次设置的玻璃衬底、透明导电阴极、电子传输层、有源层、空穴传输层和阳极电极，其特征在于，所述有源层为依次的受体层和体异质结层构成的混合型伪平面体异质结层，所述NIR-OPDs能够有效抑制暗电流而不损失光响应电流；所述透明导电阴极为ITO，厚度为120～180nm；所述电子传输层为ZnO；所述有源层为依次的N2200受体层和PPhTQ:COTIC-4F体异质结层；所述空穴传输层为MoO3；所述阳极电极为Ag。
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