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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167992.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置是由王贤娜;徐竹青设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置；该阵列基板包括多个第一晶体管、多个第二晶体管以及多个存储电容；第一晶体管包括第一沟道部，第一沟道部包括相互连接的第一半导体区和第一导体区；第二晶体管包括第二沟道部，第二沟道部包括相互连接的第二半导体区和第二导体区；存储电容包括第一电极和第二电极，第一电极与第一导体区同层同材料设置，第二电极与第二导体区同层同材料设置。该阵列基板的结构和制备工艺较为简单。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 多个第一晶体管，所述第一晶体管包括第一沟道部，所述第一沟道部包括相互连接的第一半导体区和第一导体区； 多个第二晶体管，所述第二晶体管包括第二沟道部，所述第二沟道部包括相互连接的第二半导体区和第二导体区； 多个存储电容，所述存储电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导体区同层同材料设置，所述第二电极与所述第二导体区同层同材料设置； 所述阵列基板包括： 衬底基板； 第一有源层，设于所述衬底基板的一侧，所述第一有源层包括间隔设置的所述第一沟道部和所述第一电极； 第一绝缘层，设于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧； 第一栅极层，设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第一栅极层包括间隔设置的第一栅极和遮光层，所述第一半导体区在所述衬底基板上的正投影位于所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影之内； 第二绝缘层，设于所述第一栅极层背离所述衬底基板的一侧； 第二有源层，设于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第二有源层包括间隔设置的所述第二沟道部和所述第二电极，所述第二沟道部在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠； 第三绝缘层，设于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧； 导体层，设于所述第三绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述导体层包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第一源极、第一漏极； 其中，所述第二半导体区在所述衬底基板上的正投影位于所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二源极和所述第二漏极对应连接于两个所述第二导体区，所述第一漏极和所述第一源极对应连接于两个所述第一导体区。

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