上海华虹宏力半导体制造有限公司周海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211202226.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件及其制造方法是由周海洋;沈思杰设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，所述闪存器件的衬底上设置有字线，所述字线的两侧设置有垂直堆叠的浮栅、层间介质层和控制栅，所述控制栅上设置有第一侧墙，且所述第一侧墙的材料与所述控制栅的材料相同，所述控制栅和所述字线之间设置有第二侧墙，所述浮栅和所述字线之间设置有第三侧墙。本发明通过设置材料相同的第一侧墙与控制栅，减少或避免第一侧墙可能受到的刻蚀损伤，从而避免第一侧墙与控制栅层的交界处形成台阶，进而维持闪存器件的击穿电压。进一步地，所述闪存器件的第一侧墙上设置有金属硅化物层，降低了控制栅的接触电阻，有利于提高闪存器件的读取速度。
本发明授权闪存器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩模层，所述硬掩模层上形成有暴露所述控制栅层的开口； 在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，且所述第一侧墙的材料与所述控制栅层的材料相同，所述控制栅层和所述第一侧墙的材料均为多晶硅； 去除所述开口暴露的控制栅层以及所述开口下方的层间介质层，使所述开口暴露所述浮栅层，并在所述开口的侧壁和底壁形成第二侧墙； 去除所述开口底部的第二侧墙以及所述开口下方的浮栅层，使所述开口暴露所述衬底，并在所述开口的侧壁和底壁形成第三侧墙； 在所述开口内形成字线；以及， 去除所述硬掩模层以及所述硬掩模层下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。
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