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龙图腾网获悉苏州聚谦半导体有限公司申请的专利自对准双槽IGBT结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211227706.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权自对准双槽IGBT结构及其制造方法是由黄子伦设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准双槽IGBT结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自对准双槽IGBT结构及其制造方法，在衬底正面上形成第二种导电类型的体区层和第一种导电类型的源区层后，利用第一硬掩模至第四硬掩模之间的不同刻蚀选择比，与侧墙工艺相结合，在衬底中以交替方式形成自对准的多个栅沟槽和源沟槽的阵列，栅沟槽中形成有栅氧层和栅极，源沟槽中形成有第二种导电类型的半导体层，在栅沟槽和源沟槽之间的衬底正面上形成有侧墙结构，侧墙之间形成有粘合层，在衬底背面上还形成有集电区层和缓冲区层。本发明可节省光罩，缩小器件面积，并能进一步减小电阻，增加电流量和开关速度，改善了器件性能。

本发明授权自对准双槽IGBT结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准双槽IGBT结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供一第一种导电类型的衬底，在所述衬底的正面表面上形成位于所述衬底的正面表面以内的第一种导电类型的源区层，以及形成位于所述源区层下层的第二种导电类型的体区层； 在所述衬底的正面表面上形成多个第一硬掩膜层图形； 在所述第一硬掩膜层图形上保形形成第二硬掩膜层，并进行回刻，在所述第一硬掩膜层图形两侧形成第二硬掩膜层图形，并露出所述第一硬掩膜层图形的顶部和位于相邻侧的两个所述第二硬掩膜层图形之间的所述衬底的正面表面； 在露出的所述衬底的正面表面上覆盖形成第三硬掩膜层，并进行回刻，在位于相邻侧的两个所述第二硬掩膜层图形之间形成第三硬掩膜层图形； 去除所述第二硬掩膜层图形，然后，在所述第一硬掩膜层图形两侧和所述第三硬掩膜层图形两侧分别形成第一侧墙结构； 以所述第一侧墙为掩膜，在露出的所述衬底的正面表面上向下形成栅沟槽，在所述栅沟槽的内壁上形成栅氧层，以及在所述栅氧层以内的所述栅沟槽中形成栅极； 在所述栅沟槽上覆盖形成第四硬掩膜层，并进行回刻，在位于相邻侧的两个所述第一侧墙之间形成第四硬掩膜层图形； 去除所述第一硬掩膜层图形和所述第三硬掩膜层图形，然后在露出的所述衬底的正面表面上向下形成自对准于所述栅沟槽之间的源沟槽，以及在所述源沟槽中形成第二种导电类型的半导体层； 去除所述第四硬掩膜层图形，在露出的所述栅沟槽和所述源沟槽上覆盖形成位于所述第一侧墙之间的粘合层； 对所述衬底的背面进行减薄，并在减薄后的所述衬底的背面表面上形成第二种导电类型的集电区层，以及形成位于所述集电区层下层的第一种导电类型的缓冲区层。

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