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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245717.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法是由杜国同;张源涛;邓高强设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种p‑NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的AlyGa1‑yN外延下限制层、InxGa1‑xN材料多量子阱有源发光层、p型掺Mg的AlzGa1‑zN电子限制层、p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。本发明利用了p‑NiO高空穴浓度、低电阻率、带隙宽和有比AlGaN材料折射率低的特点，可以使器件有良好的空穴注入，同时有良好的光限制和载流子限制，可以降低器件的工作电压，减少高温生长GaN盖层时对量子阱有源发光层的影响，提高器件性能，实现GaN材料系长波长可见光激光发射，拓展器件的应用范围。

本发明授权p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管和激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-NiO为盖层的GaN可见光发光二极管，依次由衬底（1）、衬底（1）上面制备的GaN缓冲层（12）、GaN缓冲层（12）上制备的n型掺Si的AlyGa1-yN外延下限制层（2）、AlyGa1-yN外延下限制层（2）上面制备的相互分立的InxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）和下电极（7）、InxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）上面制备的p型掺Mg的AlzGa1-zN电子限制层（4）、AlzGa1-zN电子限制层（4）上制备的盖层（5）、盖层（5）上面制备的上电极（6）构成，其特征在于：衬底（1）是Al2O3或Si晶体片；盖层（5）是p-NiO，空穴浓度为1018~1020cm3；y、z的取值范围为0.0~0.3，InxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）由阱层Inx1Ga1-x1N和垒层Inx2Ga1-x2N交替构成，阱层In组分x1值根据所制备器件的波长进行选择，蓝光发光二极管阱层In组分含量即x1为7%~22%，绿光发光二极管阱层In组分含量即x1为22%~27%，黄光发光二极管阱层In组分含量即x1为27%~36%，红光发光二极管阱层In组分含量即x1为36%~40%，垒层Inx2Ga1-x2N的In组分x2值比阱层的x1值小0.05~0.4；多量子阱层的对数为2~5对。

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