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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低相位噪声低失配电流电荷泵及实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115694173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211255391.2，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种低相位噪声低失配电流电荷泵及实现方法是由张国和;王伟设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低相位噪声低失配电流电荷泵及实现方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路设计领域，公开了一种低相位噪声低失配电流电荷泵及实现方法，电路包括充放电控制及稳压电路、电流镜复制电路和增益自举电路。充放电控制及稳压电路稳定了电流镜的偏置电压并提供稳定的充放电电流。电流镜电路采用共源共栅结构，和稳压电路一起提高了抗PVT能力。增益自举电路可补偿电流镜因输出电压接近电源和地时进入线性区而减小的电流，从而增大了线性充放电范围。整体电路实现了低相位噪声和低失配电流，提高了电荷泵电路的性能。

本发明授权一种低相位噪声低失配电流电荷泵及实现方法在权利要求书中公布了：1.一种低相位噪声低失配电流电荷泵，其特征在于，包括若干MOS管、补偿单元Cc0及Rz0以及反馈网络R0、R1、Rfb组成； 若干MOS管包括第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第四MOS管M3、第五MOS管M4、第六MOS管M5、第七MOS管M6、第八MOS管M7、第九MOS管M8、第十MOS管M9以及第十一MOS管M10； 补偿单元包括补偿电容Cc0及补偿电阻Rz0； 反馈网络包括第一电阻R0、第二电阻R1以及第三电阻Rfb； 第二MOS管M1、第七MOS管M6、第九MOS管M8、第十一MOS管M10的源极与VDD相连，补偿电容Cc0的一端与VDD相连； 第一MOS管M0的栅极与Vbias相连，第一MOS管M0的漏极与第二MOS管M1的漏极相连，第一MOS管M0的漏极还与第七MOS管M6的栅极相连，第一MOS管M0的栅极与第七MOS管M6的栅极相连； 第五MOS管M4的栅极与控制信号相连，第五MOS管M4的源极和第六MOS管M5的源极均与第七MOS管M6的漏极相连，第五MOS管M4的漏极与第三MOS管M2的栅极和漏极相连，第四MOS管M3的漏极和第八MOS管M7的栅极均与第六MOS管M5的漏极相连，第六MOS管M5的栅极与第三电阻Rfb一端相连，第三电阻Rfb的另一端以及第一电阻R0的一端均与第十MOS管M9的漏极相连，第三电阻Rfb的另一端以及第一电阻R0的一端均与第十MOS管M9的漏极连接处为S点； 补偿电容Cc0的另一端与补偿电阻Rz0的一端相连，补偿电阻Rz0的另一端、第九MOS管M8的漏极以及第八MOS管M7的漏极与第十一MOS管M10的栅极相连，第十一MOS管M10的漏极与第十MOS管M9的源极相连，第十MOS管M9的栅极还与第二电阻R1的一端相连； 第一电阻R0的另一端与第二电阻R1的一端相连，第二电阻R1的另一端、第一MOS管M0的源极、第三MOS管M2的源极以及第四MOS管M3的源极与第八MOS管M7的源极相连，第八MOS管M7的源极还与相连电流镜复制电路相连； 电流镜复制电路包括第十二MOS管M11、第十三MOS管M12、第十四MOS管M13、第十五MOS管M14、第十六MOS管M15、第十七MOS管M16、第十八MOS管M17、第二十一MOS管M20、第二十二MOS管M21以及第二十三MOS管M22； 增益自举电路包括第十九MOS管M18和第二十MOS管M19； 第十八MOS管M17的源极、第十七MOS管M16的源极、第二十MOS管M19的源极、第二十三MOS管M22的源极、第二十三MOS管M22的栅极以及第二十二MOS管M21的源极与VDD相连； 第十八MOS管M17的漏极和第十七MOS管M16的漏极与第十六MOS管M15的源极相连，第十四MOS管M13的漏极和第十二MOS管M11的栅极与第十六MOS管M15的漏极相连，第十四MOS管M13的源极和第十二MOS管M11的漏极相连； 第二十三MOS管M22的漏极和第二十二MOS管M21的漏极与第二十一MOS管M20的源极相连，第二十一MOS管M20的栅极与第十六MOS管M15的栅极相连，第十七MOS管M16的栅极与第二十二MOS管M21的栅极连接，第二十一MOS管M20的漏极和第二十MOS管M19的栅极与第十九MOS管M18的源极相连，第十九MOS管M18的漏极与信号Vout相连，第二十MOS管M19的漏极与第十五MOS管M14的漏极与第十九MOS管M18的栅极相连，第十五MOS管M14的源极与第十三MOS管M12的漏极相连，第十三MOS管M12的源极和第十二MOS管M11的源极与第八MOS管M7的源极相连； 第十MOS管M9的栅极与第十六MOS管M15的栅极相连，第十一MOS管M10的栅极与第十七MOS管M16的栅极、补偿电阻Rz0的另一端相连， 第十八MOS管M17的栅极与VDD连接。

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