华南理工大学马自龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211282583.2，技术领域涉及：H01Q21/06；该发明授权一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列是由马自龙;杨开设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列在说明书摘要公布了：本发明公开的一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列，包括第一介质板、第二介质板、第三介质板和第四介质板，在第一介质板的下、上表面分别设置有第一金属层和第二金属层，在第二介质板的上表面设有第三金属层，在第三介质板的上表面设有第四金属层。在第一金属层上设有微带功分器，在第二金属层上且对应于微带功分器的每一路靠近末端的位置处均设置有第一耦合缝隙，第二介质板上设置有多个子阵列，且在第三金属层上设置有第二耦合缝隙，在第四金属层上对应于每个第二耦合缝隙位置处设置有金属贴片，每两个相邻且相向放置的金属贴片构成一对差分微带线。是一种具有宽带、低剖面、低交叉极化、带内性能稳定、工作于Ka波段的差分天线阵列。
本发明授权一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列在权利要求书中公布了：1.一种基于基片集成波导高次模式的差分天线阵列，其特征在于，从下到上依次设置有第一介质板21、第二介质板22、第三介质板23和第四介质板24，在第一介质板21的下表面和上表面分别设置有第一金属层25和第二金属层26，在第二介质板22的上表面设置有第三金属层27，在第三介质板23的上表面设置有第四金属层28，其中， 在第一金属层25上设置有微带功分器31，在第二金属层26上且对应于微带功分器31的每一路靠近末端的位置处均设置有第一耦合缝隙32，第二介质板22上设置有多个子阵列41，且在第三金属层27上对应于每个子阵列41的位置处设置有第二耦合缝隙42，在第四金属层28上对应于每个第二耦合缝隙42位置处设置有与之正交的金属贴片，每两个相邻且相向放置的金属贴片构成一对差分微带线51。
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