中国电子科技集团公司第五十五研究所吴立枢获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211287046.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法是由吴立枢;韩群飞;孔月婵;陈堂胜设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石衬底GaN器件通孔制备的方法，包括：金刚石衬底背面激光刻蚀通孔，刻穿正面GaN器件源极金属；使用临时粘合材料将金刚石衬底GaN器件正面与临时载片键合；金刚石衬底背面及通孔内沉积种子层金属，并电镀沉积背金；去除正面临时载片和临时粘合材料；正面GaN器件源极金属上面二次电镀金属，实现源极金属与通孔金属互连。本发明直接采用激光刻蚀通孔的方法，具有简单快速的优点，同时采用临时键合结合二次电镀的方法，解决的金刚石刻蚀通孔电镀互连的问题，获得了较好的电学接地。
本发明授权一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石衬底GaN器件通孔的制备方法，其特征在于：用于针对由金刚石衬底、GaN外延层、GaN器件源极金属按顺序依次堆叠所构金刚石衬底GaN器件，执行如下步骤，实现金刚石衬底GaN器件通孔的制备； 所述制备方法具体包括如下步骤： S1：采用脉冲激光器从所述金刚石衬底背离所述GaN外延层的一面入射激光进行刻蚀，刻蚀依次穿透所述金刚石衬底、GaN外延层和GaN器件源极金属，从而形成通孔； S2：将预备的临时载片通过预制的临时粘合材料键合在所述GaN器件源极金属背离所述GaN外延层的一面，并且所述临时载片覆盖在所述通孔的上方； S3：先在所述金刚石衬底背离所述GaN外延层的一面及所述通孔内沉积种子层金属，然后电镀沉积金属； S4：将所述临时载片机械去除，并将残留的临时粘合材料清洗干净； S5：在所述GaN器件源极金属背离所述GaN外延层的一面沉积种子层金属，然后二次电镀沉积金属。
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