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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211338625.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置是由韩丹丹;韦亚一设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置，涉及集成电路制造工艺领域。方法包括：基于所述表面等离子体光刻曝光结构的场强分布数据，结合双曲线拟合方式确定所述表面等离子体光刻曝光结构的曝光图形深度理论解析式；基于所述第一分辨率和所述第二分辨率确定聚焦光斑对称性和增加曝光深度的相关数据；对所述表面等离子体光刻曝光结构对应的所述聚焦光斑对称性和增加曝光深度的相关数据中的景深数据进行定量分析，确定所述景深数据和所述表面等离子体光刻曝光结构的对应关系；对所述表面等离子体光刻曝光结构对应的色散关系数据进行建模分析，确定影响所述表面等离子体光刻曝光结构达到高频模式的关键工艺参数。

本发明授权基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法，其特征在于，所述方法包括： 获取表面等离子体光刻中的单层光刻胶曝光结构，和基于混合表面等离子体波导曝光结构的表面等离子体光刻曝光结构； 利用时域有限差分法分别对所述表面等离子体光刻曝光结构和所述单层光刻胶曝光结构中光刻胶内的场强分布进行定量分析确定场强分布数据； 基于所述表面等离子体光刻曝光结构的场强分布数据，结合双曲线拟合方式确定所述表面等离子体光刻曝光结构的曝光图形深度理论解析式； 确定所述表面等离子体光刻曝光结构的第一分辨率和所述单层光刻胶曝光结构的第二分辨率； 基于所述第一分辨率和所述第二分辨率确定聚焦光斑对称性和增加曝光深度的相关数据； 对所述表面等离子体光刻曝光结构对应的所述聚焦光斑对称性和增加曝光深度的相关数据中的景深数据进行定量分析，确定所述景深数据和所述表面等离子体光刻曝光结构的对应关系； 对所述表面等离子体光刻曝光结构对应的色散关系数据进行建模分析，确定影响所述表面等离子体光刻曝光结构达到高频模式的关键工艺参数。

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