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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种Micro-LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211351672.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种Micro-LED芯片及其制作方法是由李增林;王国斌设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制作方法，其中，Micro‑LED芯片的制作方法包括：提供层叠结构，层叠结构包括自下而上层叠设置的衬底、第一氮化物层、多量子阱层和第二氮化物层；采用第一次干法刻蚀工艺去除层叠结构上的部分第二氮化物层和部分多量子阱层，露出第一氮化物层，形成刻蚀沟道和多个台面；采用第二次干法刻蚀工艺对刻蚀沟道的侧壁上的量子阱损伤进行修复处理，第二次干法刻蚀工艺的刻蚀功率小于第一次干法刻蚀工艺的刻蚀功率；在台面的上表面形成第二电极，第二电极电连接第二氮化物层，在刻蚀沟道的底部形成第一电极，第一电极电连接第一氮化物层。通过修复损伤的量子阱，降低Micro‑LED的尺寸效应带来的不利影响，进而提高Micro‑LED的量子效率。

本发明授权一种Micro-LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括： 提供层叠结构，所述层叠结构包括自下而上依次层叠设置的衬底、第一氮化物层、多量子阱层和第二氮化物层，其中，所述第一氮化物层是N型氮化物层，所述第二氮化物层是P型氮化物层；或者，所述第一氮化物层是P型氮化物层，所述第二氮化物层是N型氮化物层； 在所述层叠结构的上表面依次形成图案化的热膨胀层与图案化的掩膜层； 采用第一次干法刻蚀工艺去除所述层叠结构上的部分所述第二氮化物层和部分所述多量子阱层，露出所述第一氮化物层，形成刻蚀沟道和多个台面； 加热所述层叠结构以使所述台面上靠近所述刻蚀沟道边缘的部分掩膜层向上翘起； 采用第二次干法刻蚀工艺对所述刻蚀沟道的侧壁上的量子阱损伤进行修复处理，所述第二次干法刻蚀工艺的刻蚀功率小于所述第一次干法刻蚀工艺的刻蚀功率； 去除所述掩膜层，或者，去除所述热膨胀层与图案化的掩膜层； 在所述台面的上表面形成第二电极，所述第二电极电连接所述第二氮化物层，在所述刻蚀沟道的底部形成第一电极，所述第一电极电连接所述第一氮化物层。

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