重庆邮电大学王玉婵获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211347114.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法是由王玉婵;许楠楠;袁一鸣;曾福嘉;陈光昊;冉倩;张文霞设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
本发明授权一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器自下而上依次由衬底1、底电极2、阻变层3、顶电极4层叠组成，其中衬底1、底电极2和阻变层3的形状和大小相同； 所述阻变层3为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜。
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