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龙图腾网获悉重庆前卫无线电能传输研究院有限公司申请的专利非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211360626.4，技术领域涉及：H03K17/04；该发明授权非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路是由王永刚;周诗杰;王德勇;李军设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路，包括负压脉冲方波发生器和负压驱动电路，负压驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管ZD1、三极管Q1和三极管Q2，其中：Q1为PNP管，Q2为NPN管，负压脉冲方波发生器的正向输出端连接Q1的发射极，同时经R1连接Q1的基极，反向输出端与Q1的集电极共地；Q1的发射极依次反接ZD1和D1后与Q2的基极连接，Q2的集电极接驱动电源，发射极经过R3接被控MOS管IGBT管的栅极，ZD1与C1并联，D1与R2并联，在Q2的基极和发射极之间还反接有D2。其效果是：电路结构简单，控制方便，能够有效实现MOS管及IGBT管安全可靠快速关断，防止误触发，避免炸管。

本发明授权非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种非隔离型带负压关断的MOS管及IGBT驱动电路，其特征在于：包括负压脉冲方波发生器和负压驱动电路，所述负压驱动电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管ZD1、三极管Q1和三极管Q2，其中：三极管Q1为PNP管，三极管Q2为NPN管，所述负压脉冲方波发生器的正向输出端连接三极管Q1的发射极，同时所述负压脉冲方波发生器的正向输出端还经过电阻R1连接三极管Q1的基极，所述负压脉冲方波发生器的反向输出端与所述三极管Q1的集电极共同接地；所述三极管Q1的发射极依次反接稳压管ZD1和二极管D1后与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的集电极接驱动电源，所述三极管Q2的发射极经过电阻R3接被控MOS管的栅极或被控IGBT管的栅极，所述稳压管ZD1与所述电容C1并联，所述二极管D1与所述电阻R2并联，在三极管Q2的基极和发射极之间还反接有所述二极管D2。

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