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龙图腾网获悉广州市众拓光电科技有限公司申请的专利垂直结构LED芯片及其制备方法、发光器件以及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211399400.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权垂直结构LED芯片及其制备方法、发光器件以及显示装置是由李国强设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直结构LED芯片及其制备方法、发光器件以及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法、发光器件以及显示装置，由于在制备垂直结构LED芯片中形成多不连续圆孔的电流阻挡层，通过在制备芯片的步骤中在电流阻挡层设置有分布均匀且密集的小孔布满整个芯片底部，当芯片工作时电流会被强制扩散到芯片整面再从小孔中通过，改善芯片整体的电流分布而提高亮度；使得相同发光面积下，使用此垂直结构LED芯片的发光器件具有更高的发光通量。

本发明授权垂直结构LED芯片及其制备方法、发光器件以及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：在待键合衬底上依次形成层叠设置的第一氮化镓材料层、多量子阱材料层以及第二氮化镓材料层，自所述第二氮化镓材料层按照预设绝缘柱位置进行刻蚀至第一氮化镓材料层； S20：在所述第二氮化镓材料层上依次形成金属反射材料层以及电流阻挡材料层，刻蚀预设绝缘柱位置的金属反射材料层以及电流阻挡材料层，在电流阻挡材料层上不连续地刻蚀多个圆孔至露出所述金属反射材料层，制备金属反射层以及电流阻挡层； S30：在所述电流阻挡层上形成金属保护材料层，刻蚀预设绝缘柱位置的金属保护材料层，形成包绕所述金属反射层以及所述电流阻挡层的金属保护层； S40：在预设绝缘柱位置填充绝缘柱材料，制备绝缘柱，并在所述金属保护层以及所述绝缘柱上形成绝缘材料层； S50：自所述绝缘材料层按照预设第一电极柱位置进行刻蚀至第一氮化镓材料层，在预设第一电极柱位置填充第一电极柱材料，制备第一电极柱以及绝缘层，并在所述绝缘层以及所述第一电极柱上形成第一电极材料层，制备第一电极层； S60：去除所述待键合衬底； S70：去除所述第一氮化镓材料层上预设第一氮化镓层位置外的第一氮化镓材料，去除所述多量子阱材料层上预设多量子阱层位置外的多量子阱材料以及去除所述第二氮化镓材料层上预设第二氮化镓层位置外的第二氮化镓材料，制备第一氮化镓层、多量子阱层和第二氮化镓层，其中所述第一氮化镓层、所述多量子阱层以及所述第二氮化镓层的宽度相同，且大于所述金属反射层的宽度同时小于所述金属保护层的宽度； S80：在所述金属保护层远离所述绝缘层的一侧上形成第二电极。

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