拉普拉斯新能源科技股份有限公司祁文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请的专利一种掩膜层及其生长方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211412098.2，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种掩膜层及其生长方法和应用是由祁文杰;梁笑;毛文龙;范伟;卢佳;林佳继设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩膜层及其生长方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩膜层及其生长方法和应用。所述生长方法包括：采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层；所述低压的压力为15‑25Pa。本发明通过使用硅源和氧源在低压条件下进行外延生长，制得了高质量氧化硅掩膜层，其氧化硅掩膜层的生长速率快，可缩短工艺时间；并且采用外延生长来沉积氧化硅掩膜层，不会与底部的结构产生反应，对钝化结构的性能可起到保护作用。
本发明授权一种掩膜层及其生长方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种掩膜层的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括： 采用氧源和硅源在低压条件下进行外延生长，得到氧化硅掩膜层； 所述低压的压力为15-25Pa；所述外延生长的温度为650-850℃； 所述氧源为氧气；所述硅源为硅酸乙酯； 所述外延生长的方式为先通入氧源，再通入硅源； 所述氧源的流量为500-1500sccm；所述硅源的流量为50-100sccm；所述硅源和氧源的流量比为1:5-30； 所述外延生长的温度到达设定值后恒温3-7min；所述外延生长的时间为8-12min； 所述掩膜层的厚度为80-110nm。
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