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广州大学刘兆清获国家专利权

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龙图腾网获悉广州大学申请的专利一种带隙分裂的桥式异质反应池及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115990447B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211627659.0,技术领域涉及:B01J19/08;该发明授权一种带隙分裂的桥式异质反应池及其应用是由刘兆清;黎景卫;肖抗设计研发完成,并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种带隙分裂的桥式异质反应池及其应用在说明书摘要公布了:本发明涉及催化反应池技术领域,尤其是涉及一种带隙分裂的桥式异质反应池及其应用。包括两个电极室,两个所述电极室内的电极材料均含半导体材料,且两个电极材料具有带隙分裂特性,其中一个为高氧化电位半导体材料,另一个为高还原电位半导体材料,且两个带隙分裂的半导体材料通过光生载流子传导介质桥连。本发明的技术方案通过设置的带隙分裂的半导体材料作为反应池的电极材料,且带隙分裂的半导体材料组合桥连,能够同时获得宽光谱响应范围、高氧化还原电位和高光生载流子分离效率。该反应池制备方法简单,具有很高的商业应用潜力,在光光电催化中具有很好的应用前景。

本发明授权一种带隙分裂的桥式异质反应池及其应用在权利要求书中公布了:1.一种带隙分裂的桥式异质反应池,其特征在于,包括两个电极室,两个所述电极室内的电极材料均含半导体材料,且两个电极材料具有带隙分裂特性,其中一个为高氧化电位半导体材料,另一个为高还原电位半导体材料,且两个带隙分裂的半导体材料的光生载流子可通过传导介质桥连而实现有效分离; 两个所述电极的组合为:ZnIn2S4-CuS、CuInS2-MnO2、ZnFe2O4-CuS、CuInS2-WO3-x或g-C3N4-CuS中的一种; 所述传导介质为含有氧化还原离子对的溶液; 所述氧化还原离子对为:I3 -I-、Fe3+Fe2+、VO2 +VO2+、[Cobpy3]3+[Cobpy3]2+或NO3 -NO2 -中的一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广州大学,其通讯地址为:510006 广东省广州市番禺区大学城外环西路230号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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