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中国科学技术大学陈仙辉获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115870491B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211637699.3,技术领域涉及:B22F1/054;该发明授权一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用是由陈仙辉;李亚慧;夏维东设计研发完成,并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明实施例涉及纳米材料制备技术领域,具体公开了一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用,所述高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置包括脉冲式电源箱、绝缘高温反应管、第一高压电极以及第二高压电极,脉冲式电源箱分别通过第一高压电极与第二高压电极连接至绝缘高温反应管两端。本发明通过利用该电极对放置在绝缘高温反应管中的原料进行高压放电,有效地将非晶金属转化为高熵金属纳米颗粒,生产成本低,生产速度快,适用于工业化大规模生产,解决了现有高熵金属纳米颗粒传统制备技术存在无法高效地规模化生产高熵金属纳米颗粒的问题,而且本发明实施例提供的高熵金属纳米颗粒制备方法步骤简单,费用较低,具有广阔的市场前景。

本发明授权一种高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置、制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种高熵金属纳米颗粒制备方法,采用高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置,其特征在于: 所述高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置,包括脉冲式电源箱1,以及绝缘高温反应管5,用于放置待进行高压放电的混合导电粉末4;其中,所述混合导电粉末4包括具有还原性的导电炭黑与金属粉末,该金属粉末具体是(CeNiFeCoMnOx,或(CuNiFeCoMoOx或(CuTiFeCoMoOx,其中,x>0; 还包括第一高压电极2以及第二高压电极7,所述脉冲式电源箱1分别通过第一高压电极2与第二高压电极7连接至绝缘高温反应管5两端,以放电对混合导电粉末4进行高压放电生成高熵金属纳米颗粒; 所述高熵金属纳米颗粒闪蒸制备装置还包括第一铜塞3与第二铜塞6,所述第二铜塞6与第一铜塞3分别插接在装有混合导电粉末4的绝缘高温反应管5的左右两端,所述第一高压电极2卡在第一铜塞3的外端开口处,所述第二高压电极7卡在所述第二铜塞6的外端开口处,通过将第一铜塞3与第二铜塞6推入混合导电粉末4两端,使混合导电粉末4充分压缩紧凑; 所述高熵金属纳米颗粒制备方法包括以下步骤:将具有还原性的导电炭黑与金属粉末按比例充分混合,得到混合导电粉末4;称量混合导电粉末4导入至干净的绝缘高温反应管5中,将脉冲式电源箱1分别通过第一高压电极2与第二高压电极7连接至绝缘高温反应管5两端;设置脉冲式电源箱1的放电参数,以将混合导电粉末4进行高压放电生成高熵金属纳米颗粒;所述放电参数是放电电流50-500A,放电脉冲宽度50-200ms,放电次数是1次或多次; 还包括预处理步骤,所述预处理步骤是在进行高压放电前以脉冲电流为20A,脉冲宽度为500ms的条件将混合导电粉末进行电离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学,其通讯地址为:230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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