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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北江城实验室申请的专利一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211641274.X，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法是由程伟明;苏睿;肖睿子;陈家宝;缪向水设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其中，该忆阻器件包括由纯相SrFeO2.5或SrCoO2.5材料制成的存储介质层，极性切换方法包括：将该忆阻器件的底电极层接地，在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压；在顶电极层施加0～+6V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2V负向直流扫描电压，接着在顶电极施加0～+2.5V正向直流扫描电压；在顶电极层上施加0～‑6V负向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，接着在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压。本发明可有效提高忆阻器件的应用场景。

本发明授权一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法在权利要求书中公布了：1.一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述拓扑相变材料忆阻器件包括由下而上依次设置的衬底层、底电极层、存储介质层和顶电极层，所述存储介质层的材料采用纯相或，所述极性切换方法包括正向置位负向复位切换至负向置位正向复位的第一切换方法、及负向置位正向复位切换至正向置位负向复位的第二切换方法； 其中，所述第一切换方法包括如下步骤： （1）将所述拓扑相变材料忆阻器件的底电极层接地，在其顶电极层施加0～-9V负向直流扫描电压完成电成型操作； （2）在所述顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压完成SET操作，然后在顶电极层施加0～-2.5V负向直流扫描电压完成RESET操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为正向置位负向复位状态； （3）在顶电极层施加0～+6V正向直流扫描电压，然后在所述顶电极层施加0～-2V负向直流扫描电压完成SET操作，接着在顶电极施加0～+2.5V正向直流扫描电压完成RESET操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为负向置位正向复位； 所述第二切换方法包括如下步骤： （4）在步骤（3）的拓扑相变材料忆阻器件中的顶电极层上施加0～-6V负向直流扫描电压，然后在所述顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压完成SET操作，接着在顶电极层施加0～-2.5V负向直流扫描电压完成RESET操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为正向置位负向复位状态。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学;湖北江城实验室，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。