上海艾克森电子有限公司严利民获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾克森电子有限公司申请的专利一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211695420.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法是由严利民;华鹏程;曹进;陈强;项虎迥;田辉辉设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法在说明书摘要公布了：一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，步骤S2：刻蚀将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀；步骤S3：沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜；步骤S4：刻蚀氧化硅使用光刻刻蚀去除表面的SiO2薄膜；步骤S5：继续生长氮化镓将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。本发明利用氮化镓材料存在缺陷处与不存在缺陷处腐蚀速率不同的原理，可通过选择性腐蚀在存在穿通位错的的部位形成腐蚀坑。在氮化镓表面沉积SiO2可以阻碍穿通位错的进一步生长，使用光刻手段去除沉积的SiO2可以精准控制光刻后GaN形核层表面是否有SiO2，降低后续生长的GaN的穿通位错密度。
本发明授权一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法在权利要求书中公布了：1.一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层， 其特征在于，还包括： 步骤S2：刻蚀 将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀出沉积槽槽位； 步骤S3：沉积二氧化硅 将衬底转移至PECVD反应室中，去离子水洗净后，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜并覆盖住所述槽位； 步骤S4：刻蚀氧化硅 将产品转入RIE刻蚀仓，通入CHF3，使用反应离子刻蚀刻蚀去除表面的SiO2薄膜，但保留沉积槽内的氧化硅； 步骤S5：继续生长氮化镓 将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。
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