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龙图腾网获悉河南安彩高科股份有限公司申请的专利一种N型TopCon双面电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211704871.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种N型TopCon双面电池结构及其制备方法是由苍利民;万志刚;刘万兵;丁万勇;康建领;袁志峰;田国闯;张鸿飞;李晓东设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N型TopCon双面电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种N型TopCon双面电池结构及其制备方法。该电池结构自上而下为：正面栅线、SiCxOy层、TCO层、多晶硅钝化层P++、硼扩散层P+、N型晶硅衬底、二氧化硅隧穿层、多晶硅钝化层N++、TCO层、SiCxOy层以及背面栅线；制备方法包括双面制绒清洗、正面扩硼制结、背面制隧穿氧化硅层、背面制掺磷非晶硅层、正面制掺硼非晶硅层、高温退火、等离子氢钝化、双面制备掺氟氧化锡层TCO膜、双面沉积增透减反膜、丝网印刷并烧结。本发明采用双导电介质的电极结构，载流子一维传输率更高，电导损失小，同时兼顾了良好的表面和电场钝化性能，可以更好地减少非晶硅退火和栅线制备过程中的两种烧穿现象。

本发明授权一种N型TopCon双面电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型TopCon双面电池结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）表面制绒及清洗，先将硅片放入浓碱液中进行粗蚀，然后再转到稀碱液中细蚀，形成绒面后对硅片进行清洗； （2）扩散制结，将经过步骤（1）的硅片放入管式扩散炉内，在氮气氛围中升温，通入氮气，氧气，BBr3，在硅衬底正面进行硼掺杂扩散推进，形成硼扩散层P+； （3）背面制隧穿层，先将经步骤（2）的硅片放入氟化氢和氯化氢混合溶液中侵蚀，去除BSG硼硅玻璃及侧背面绕镀层，然后背面进行浅层氧化得到纳米二氧化硅薄膜，生成纳米二氧化硅隧穿层； （4）背面制重掺磷非晶硅层，在纳米二氧化硅隧穿层上制备重掺杂磷非晶硅层； （5）正面制重掺硼非晶硅层，去除正面非晶硅膜，然后在硅衬底正面沉积重掺硼非晶硅层； （6）退火结晶，将硅片置于管式炉中加热，通入氮气，将双面非晶硅层转换为多晶硅结构； （7）将硅片放置于氢等离子氛围中进行钝化，修复硅片存在的结晶缺陷；正面和背面分别得到多晶硅钝化层P++和多晶硅钝化层N++； （8）双面制备掺氟氧化锡TCO层； （9）硅片两面沉积增透减反膜，制得SiCxOy膜层； （10）丝网印刷并烧结形成栅线电极； 步骤（2）升温至1080℃，氮气流量为15~20Lmin，氧气流量为0.8~1.2Lmin，BBr3流量为10~15Lmin，得到的硼扩散层P+方阻为85~95Ωsq； 步骤（3）氟化氢和氯化氢混合溶液浓度为0.002molL~0.0035molL，浸蚀时间为4~6min；浅层氧化的具体过程为940~960℃温度下持续通入干燥的纯氧20~30min，氧气流速为0.5Lmin； 步骤（4）的具体过程为：利用PECVD设备，温度400~450℃，PH3:SiH4:H2气体体积比例为3：700：10000，静压220Pa，时间3~4min；步骤（5）的具体过程为：利用PECVD设备，温度400~450℃，TMB:SiH4:H2气体体积比例为1：800：10000，静压250Pa，时间2~3min； 步骤（6）退火温度为850~900℃，氮气流量2.5Lmin，时间15~20min；步骤（7）中，具体钝化过程为：将硅衬底置于PECVD中，将腔内温度升高至300~350℃，以30~40mLmin流量通入氢气，腔室压力90~110Pa，射频电源的功率为30~40w，停留时间为10~15分钟； 步骤（8）TCO膜为硅片在LPCVD设备中以TFA、MBTC、MeOH、氧气以及水蒸气为原料制成，TFA、MBTC、MeOH、氧气以及水蒸气质量比为2:10:1:10，步骤（9）SiCxOy膜层是在LPCVD设备中以C2H4、CO2、SiH4、N2为原料制成，C2H4、CO2、SiH4、N2体积比为2:4:1:10。

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