中天科技光纤有限公司;江东科技有限公司;江苏中天科技股份有限公司朱钱生获国家专利权
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龙图腾网获悉中天科技光纤有限公司;江东科技有限公司;江苏中天科技股份有限公司申请的专利光纤光栅、其制备方法和制备装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116047652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211732080.0,技术领域涉及:G02B6/02;该发明授权光纤光栅、其制备方法和制备装置是由朱钱生;曹珊珊;王震;徐海涛;刘志忠;韦玮;郑加金;史雯慧;曹慧设计研发完成,并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光纤光栅、其制备方法和制备装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光纤光栅、其制备方法和制备装置。该制备方法包括:获取光纤预制棒,将其熔融拉丝得到裸光纤:采用相位掩模法,将裸光纤在氮气气氛中进行光栅刻写,得到裸光纤光栅;然后进行涂覆、固化和光栅标定,得到标定光纤光栅在45~60℃保温16~24h,以进行后期热处理,然后以1~3℃min的降温速率降至室温,得到光纤光栅。本发明使用特定的光纤光栅结构,有效提升了光栅反射率,可以使其兼顾良好的光敏特性和较长光纤的传输距离;制备过程在氮气气氛下进行光栅刻写,大大提升了在线光纤光栅刻写的稳定性,还增加特殊的后期热处理工艺,可以有效消除光纤中的残余内应力,提升光纤光栅边模抑制比。
本发明授权光纤光栅、其制备方法和制备装置在权利要求书中公布了:1.一种光纤光栅的制备方法,其特征在于,所述光纤光栅由内向外依次包括芯层、内包层、下陷层、外包层和涂覆层,所述制备方法包括以下步骤: 步骤S1,使用VAD工艺依次制备芯层预制层和内包层预制层,然后使用MCVD工艺制备下陷层预制层,最后使用OVD工艺制备外包层预制层,得到光纤预制棒; 步骤S2,将所述光纤预制棒熔融拉丝,得到裸光纤: 步骤S3,采用相位掩模法,将所述裸光纤在氮气气氛中进行光栅刻写,得到裸光纤光栅;所述氮气气氛的气体温度为70~120℃; 步骤S4,将所述裸光纤光栅依次进行涂覆和固化,得到表面具有所述涂覆层的涂覆光纤光栅; 步骤S5,将所述涂覆光纤光栅进行光栅标定,得到标定光纤光栅; 步骤S6,将所述标定光纤光栅在45~60℃保温16~24h,以进行后期热处理,然后以1~3℃min的降温速率降至室温,得到所述光纤光栅; 其中,所述芯层的材质为二氧化硅掺杂金属锗离子,所述锗离子的掺杂摩尔浓度为1~12mol%,相对折射率差Δn1为0.43~1%;所述内包层的材质为纯二氧化硅,相对折射率差Δn2为0;所述下陷层的材质为二氧化硅掺杂氟离子,所述氟离子的掺杂摩尔浓度为0.1~6mol%,相对折射率差Δn3为-0.1%~0;所述外包层的材质为纯二氧化硅,相对折射率差Δn4为0。
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